时间：2025/9/23 15:30:51
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ASMT-UWB2-NX3J2 是安华高科技（Avago Technologies，现为 Broadcom Ltd. 的一部分）推出的一款表面贴装封装的超小型红外发射二极管（Infrared Emitting Diode, IRED）。该器件专为需要紧凑尺寸和高光输出性能的应用而设计，适用于多种消费类电子、工业控制及通信设备中的红外信号传输。其采用高效的 GaAs（砷化镓）芯片技术，在典型工作电流下可提供稳定的近红外光输出，中心波长通常位于 850nm 至 870nm 范围内，适合与常见的硅基光电探测器或接收模块匹配使用。ASMT-UWB2-NX3J2 具备优异的发光强度、快速响应时间和良好的热稳定性，能够在宽温度范围内保持可靠性能。该器件采用黑色模塑封装，有助于减少环境光干扰，提高信噪比，特别适用于遥控、光隔离、传感器系统以及短距离无线通信等应用场景。其表面贴装（SMD）设计便于自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。
制造商：Broadcom Limited (原 Avago)
产品系列：ASMT-UWB2
类型：红外发射二极管（IRED）
波长类型：峰值波长
峰值波长：850 nm 或 870 nm（依据具体版本）
正向电压（Vf）：典型值 1.35 V 至 1.5 V @ 20 mA
反向电压（Vr）：5 V
最大正向电流（If）：100 mA
平均正向电流（If avg）：50 mA
脉冲正向电流（If pulse）：可达 1 A（占空比受限）
功耗（Pd）：150 mW
发光角度：±17° 或 ±20°（半强度角）
视角：约 34° 至 40°
封装类型：表面贴装，微型尺寸
尺寸：约 1.6 mm x 0.8 mm x 0.8 mm
工作温度范围：-40°C 至 +100°C
存储温度范围：-40°C 至 +100°C
ASMT-UWB2-NX3J2 具备卓越的光输出效率，采用先进的 GaAs 红外芯片技术，在低驱动电流下即可实现高辐射强度，显著提升系统能效。其微型表面贴装封装设计使其成为空间受限应用的理想选择，例如智能手机、可穿戴设备和微型遥控装置。该器件具有高度一致的光束方向性和窄视角特性，确保了红外信号的定向传输，有效减少杂散光干扰，提高接收端的信号识别率。此外，黑色封装材料不仅增强了对比度，还大幅降低了外部可见光对红外接收器的影响，提升了整体系统的抗干扰能力。
在可靠性方面，ASMT-UWB2-NX3J2 经过严格的老化测试和环境耐受性验证，具备出色的耐湿性和热循环稳定性，可在严苛的工作条件下长期稳定运行。其快速上升和下降时间（通常在纳秒级别）使其适用于高频脉冲调制应用，如红外数据通信（IrDA 兼容系统）、编码遥控信号传输等。该器件支持高密度 PCB 布局，并兼容无铅回流焊工艺，符合 RoHS 环保标准。由于其标准化的电气特性和机械尺寸，ASMT-UWB2-NX3J2 可广泛用于自动化生产线，降低制造成本并提高良率。同时，该型号具有良好的批次一致性，便于大规模量产中的质量控制。
该红外发射二极管广泛应用于需要小型化、高可靠性的红外发射场景。典型用途包括电视、空调等家电的红外遥控器，尤其是超薄型遥控设备；智能手机和平板电脑中的接近传感器与自动亮度调节系统；工业自动化中的光电开关与物体检测装置；医疗设备中的非接触式传感模块；以及各类光隔离器和固态继电器中作为光源部分。此外，它也适用于安防系统中的红外照明补光、楼宇自动化中的无线控制节点，以及消费类无人机、智能家居设备中的近距离无线通信链路。由于其快速响应特性，还可用于简单的点对点红外数据传输系统，支持 PWM 调制或数字编码协议。其小尺寸和高效性能使其在可穿戴设备（如智能手表）中用于心率监测辅助光源或手势识别系统也成为可能。
ASMT-UWB3-0A3J2
ASMT-UWB2-0A3J2
ASMT-MTB2-0BB3J
HLMP-6250
