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ASM3P2579A-06OR 发布时间 时间:2025/9/6 8:41:31 查看 阅读:6

ASM3P2579A-06OR 是一款由 Advanced Semiconductor Manufacturing(ASM)公司生产的功率晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该器件设计用于高功率、高频率应用,具有良好的导通和关断性能。ASM3P2579A-06OR 采用先进的半导体制造工艺,具备较低的导通电阻和较高的耐压能力,适用于电源转换、电机控制、负载开关等电力电子系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):25A
  最大漏-源电压(VDS):60V
  导通电阻(RDS(on)):约15mΩ(典型值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):1.8V ~ 3.0V
  最大功耗(PD):100W
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装形式:TO-220AB 或 TO-263(D2PAK)
  技术工艺:采用先进沟槽式MOSFET技术

特性

ASM3P2579A-06OR 具备优异的电性能和热稳定性,其低导通电阻可有效降低功率损耗,提高系统效率。该器件采用先进的封装技术,提高了散热能力,使其在高电流条件下仍能保持稳定运行。此外,ASM3P2579A-06OR 的栅极驱动电压范围较宽,兼容多种控制电路,增强了其在不同应用中的适应性。
  该MOSFET具备快速开关能力,适用于高频开关电路,能够有效减少开关损耗,提高响应速度。其坚固的结构设计也增强了抗冲击和抗振动能力,适用于工业环境和汽车电子系统。ASM3P2579A-06OR 还具有良好的短路耐受能力,可在异常工况下提供一定程度的保护功能,提升系统的可靠性。
  在制造方面,ASM3P2579A-06OR 采用高质量的硅材料和封装材料,确保其在高温和高湿环境下的长期稳定性。该器件的电气参数经过严格测试,符合国际标准和行业规范,适用于多种高要求的电力电子应用。

应用

ASM3P2579A-06OR 广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统(BMS)以及汽车电子系统。其高电流能力和低导通电阻特性使其在高性能电源设计中具有重要地位。此外,该MOSFET也适用于工业自动化控制设备、UPS不间断电源、太阳能逆变器等高功率场合。

替代型号

IRF3205、Si4410BDY、FDMS86101、IPB065N04NG

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