ASES12U030R2 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的增强型功率晶体管,广泛应用于高效率电源转换和射频放大器等领域。该器件采用先进的封装技术,具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
其设计旨在满足现代电力电子设备对高效能、小体积和高可靠性的需求,特别适用于高频 DC-DC 转换器、功率因数校正 (PFC) 电路以及其他高性能功率应用。
型号:ASES12U030R2
类型:增强型 GaN 功率晶体管
最大漏源电压 (Vds):600 V
最大栅源电压 (Vgs):+6 V / -4 V
连续漏极电流 (Id):12 A
导通电阻 (Rds(on)):30 mΩ
输入电容 (Ciss):1500 pF
输出电容 (Coss):80 pF
反向恢复时间 (trr):<20 ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-4L
ASES12U030R2 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 (30 mΩ),能够显著降低导通损耗并提升系统效率。
2. 高击穿电压 (600 V),确保在高压环境下具有良好的稳定性与可靠性。
3. 快速开关能力 (<20 ns 反向恢复时间),适合高频应用,减少开关损耗。
4. 先进的氮化镓材料技术,提供卓越的热性能和更高的功率密度。
5. 支持宽范围的工作温度 (-55°C 至 +175°C),适应极端环境条件。
6. 小巧的 TO-247-4L 封装设计,便于集成到紧凑型系统中。
ASES12U030R2 主要应用于以下领域:
1. 高效 DC-DC 转换器,特别是在服务器、通信设备和工业电源中。
2. 功率因数校正 (PFC) 电路,用于提高电力系统的整体效率。
3. 射频功率放大器,为无线通信和雷达系统提供支持。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器及驱动系统。
6. 其他需要高性能功率管理的工业和消费类电子产品。
ASES12U028R2, ASES10U030R2