ASE5S2410 时间：2025/8/22 6:16:32 阅读：26

ASE5S2410 是一款由 Allied Semiconductor Corp 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各类 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统。ASE5S2410 采用 TO-252（DPAK）封装形式，便于在 PCB 上安装并提供良好的散热性能。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 28mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：17nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

ASE5S2410 是一款高性能功率 MOSFET，其主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的开关性能。该器件的 RDS(on) 最大值为 28mΩ，在 VGS=10V 的条件下，能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，其最大漏极电流可达 10A，适用于中高功率应用。ASE5S2410 具有较低的栅极电荷（Qg），使得开关速度更快，从而减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该 MOSFET 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能和机械强度，适合在紧凑型电源设计中使用。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应广泛的工业和消费类应用环境。ASE5S2410 还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在高负载和突发工况下保持稳定运行。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，ASE5S2410 常用于同步整流、负载开关、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等应用中。设计人员可以利用其低导通电阻和高开关速度，实现更高效、更紧凑的电源解决方案。

应用

ASE5S2410 主要应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。常见应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关电路、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及便携式电子设备的电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率电源设计，特别是在需要低电压、大电流输出的场合，如笔记本电脑、平板电脑、服务器电源模块和工业控制系统。