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ASE5S2410 发布时间 时间:2025/8/22 6:16:32 查看 阅读:19

ASE5S2410 是一款由 Allied Semiconductor Corp 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于各类 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统。ASE5S2410 采用 TO-252(DPAK)封装形式,便于在 PCB 上安装并提供良好的散热性能。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流(ID):10A
  最大漏源电压(VDS):20V
  最大栅源电压(VGS):±12V
  导通电阻(RDS(on)):最大 28mΩ @ VGS=10V
  栅极电荷(Qg):17nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

ASE5S2410 是一款高性能功率 MOSFET,其主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的开关性能。该器件的 RDS(on) 最大值为 28mΩ,在 VGS=10V 的条件下,能够显著降低导通损耗,提高系统的整体效率。此外,其最大漏极电流可达 10A,适用于中高功率应用。ASE5S2410 具有较低的栅极电荷(Qg),使得开关速度更快,从而减少开关损耗,适用于高频开关应用。
  该 MOSFET 采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合在紧凑型电源设计中使用。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适应广泛的工业和消费类应用环境。ASE5S2410 还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性,能够在高负载和突发工况下保持稳定运行。
  由于其出色的电气性能和可靠性,ASE5S2410 常用于同步整流、负载开关、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等应用中。设计人员可以利用其低导通电阻和高开关速度,实现更高效、更紧凑的电源解决方案。

应用

ASE5S2410 主要应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。常见应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关电路、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及便携式电子设备的电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率电源设计,特别是在需要低电压、大电流输出的场合,如笔记本电脑、平板电脑、服务器电源模块和工业控制系统。

替代型号

Si2410BDY-T1-GE3, AO4406, FDS6680, IRLR2707, NTD24N03R2G

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