ASC02R2-12 是一款由 Advanced Monolithic Devices(AMD)公司生产的功率MOSFET器件,主要应用于高功率和高效率的电源转换系统。该器件基于先进的超结(Super Junction)技术,具有极低的导通电阻(Rds(on))和快速的开关特性,能够在高压和高电流条件下提供出色的性能。ASC02R2-12 采用TO-247封装,适用于工业电源、服务器电源、电动汽车充电系统、光伏逆变器以及各种高频电源转换器。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vdss):650V
最大漏极电流(Id):80A @ 25°C
导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg):180nC(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-247
ASC02R2-12 MOSFET的核心优势在于其基于超结结构的低Rds(on)设计,这显著降低了导通损耗,提高了系统效率。
该器件的高电流承载能力和出色的热稳定性使其非常适合用于高功率密度设计。
此外,ASC02R2-12具备较低的栅极电荷(Qg),有助于降低高频开关应用中的驱动损耗,从而提高整体效率。
其TO-247封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和集成到现有的功率电路板中。
该器件还具备良好的短路耐受能力和抗雪崩能力,确保在极端工作条件下的可靠运行。
由于采用了先进的制造工艺,ASC02R2-12在高温环境下依然能保持稳定的电气性能,从而延长系统寿命并减少热管理设计的复杂性。
ASC02R2-12 主要用于高性能电源转换系统,包括但不限于:工业电源、不间断电源(UPS)、电动汽车车载充电器(OBC)、光伏逆变器、服务器电源、开关电源(SMPS)、电池管理系统(BMS)以及各种高功率DC-DC转换器。
其优异的导通和开关性能也使其成为谐振变换器(如LLC和CLLC拓扑)的理想选择。
在电动汽车充电设备中,ASC02R2-12可用于高效率的AC-DC转换模块,实现快速充电和低能耗运行。
在可再生能源系统中,如太阳能逆变器和储能系统中,该器件可有效提升能量转换效率,并减少功率损耗。
此外,该器件也适用于需要高可靠性和高效率的电信电源系统和工业自动化设备。
Siemens SIK MOSFET IPP60R022C7S、Infineon CoolMOS C7系列、ON Semiconductor FCH070N650F、STMicroelectronics STF15N65M5