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AS6C62256A 发布时间 时间:2025/8/28 20:35:54 查看 阅读:12

AS6C62256A是一款由Alliance Semiconductor(现为ISSI的一部分)制造的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256K位(32K x 8)。该芯片采用高性能CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问时间的特点,适用于需要快速数据访问的各种嵌入式系统和工业控制应用。

参数

容量:32K x 8(256K位)
  电源电压:4.5V 至 5.5V
  访问时间(tRC):10ns / 12ns / 15ns / 20ns(根据具体后缀不同)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装形式:28引脚 SOIC、TSOP、PDIP
  数据输出:三态输出
  封装类型:异步SRAM
  功耗:典型工作电流为100mA(待机电流<10μA)

特性

AS6C62256A SRAM芯片采用了先进的CMOS工艺,提供了高速和低功耗的双重优势。其高速访问时间(最快可达10ns)使其适用于对响应时间要求严格的系统,如高速缓存、数据缓冲器和实时控制系统。该芯片支持标准的异步接口,便于与多种微控制器、FPGA和嵌入式处理器进行连接。
  此外,AS6C62256A具有低待机电流特性,在系统进入待机或低功耗模式时,可以显著减少功耗,从而延长电池供电设备的使用时间。其三态输出功能允许多个存储器设备共享数据总线,简化了系统设计。
  芯片的封装形式多样,包括28引脚SOIC和TSOP等,适合不同类型的PCB布局和应用场景。其宽电源电压范围(4.5V至5.5V)提供了良好的兼容性,能够适应多种电源设计要求。
  由于其高可靠性和工业级温度范围,AS6C62256A广泛用于工业自动化、通信设备、网络设备以及医疗仪器等对稳定性要求较高的场合。

应用

AS6C62256A常用于需要快速数据存储和访问的系统中,如嵌入式控制器的外部内存扩展、高速缓存、图像处理缓冲区、通信设备的数据缓冲、工业控制系统的临时数据存储等。由于其低功耗特性,也适用于电池供电设备和便携式电子产品。

替代型号

CY62257BLL-55ZXI, IS62C2516-45SLI, IDT71V256SA, HY62256AL

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