时间：2025/12/24 19:33:59
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AS6C1008-55STIN 是一款由 Alliance Semiconductor（现为 ISSI 的一部分）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM），容量为 128K x 8 位，即 1Mbit 的存储容量。该芯片采用高性能 CMOS 技术制造，具有低功耗和高速访问时间的特点，适用于需要快速数据访问的嵌入式系统和工业控制设备。该封装为 32 引脚 TSOP（Thin Small Outline Package），适用于空间受限的应用场景。
容量：1Mbit
组织结构：128K x 8
访问时间：55ns
工作电压：2.3V 至 3.6V
封装类型：32-TSOP
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
功耗：典型 40mA（工作模式）
引脚数量：32
接口类型：并行
AS6C1008-55STIN 的主要特性包括其高速访问时间（55ns），使其适用于对响应时间要求严格的系统。其采用 CMOS 工艺制造，具备较低的功耗特性，支持待机模式以进一步降低能耗。该芯片支持标准的并行接口，兼容多种微控制器和处理器接口，简化了硬件设计。此外，其宽电压范围（2.3V 至 3.6V）增强了在不同电源条件下的适应性。封装方面，32-TSOP 的封装形式提供了较高的集成度和良好的热性能，适用于紧凑型 PCB 设计。该芯片还符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。
此外，AS6C1008-55STIN 具备自动低功耗模式，在没有访问操作时自动进入低功耗状态，延长电池寿命，适合便携式设备使用。其数据保持电压低至 2V，进一步提高了系统稳定性。该芯片还具备高抗干扰能力和优异的可靠性，适合工业自动化、通信设备及消费类电子产品使用。
AS6C1008-55STIN 广泛应用于需要高速 SRAM 存储的场合，例如嵌入式控制系统、工业计算机、网络设备、通信模块、数据采集系统以及手持设备等。其高速访问和低功耗特性使其特别适合用于缓存存储器、临时数据存储和实时控制应用。此外，该芯片也常用于需要可靠数据保持和快速响应时间的医疗设备、汽车电子系统和智能仪表中。
IS62WV1008-55BLLI-S, CY62148E, IDT71V416, AS6C1008-55PCN
