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AS4C4M32D1A-5BCN 发布时间 时间:2025/8/5 2:58:49 查看 阅读:32

AS4C4M32D1A-5BCN 是 Alliance Memory 公司生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用CMOS工艺制造,具有高速、低功耗和高可靠性等特点。AS4C4M32D1A-5BCN 的容量为4Mbit(即512K x 8位),适用于需要快速数据访问和高稳定性的应用场合。

参数

容量:4Mbit
  组织结构:512K x 8
  电源电压:3.3V 或 5V(具体电压取决于型号)
  访问时间:5.4ns(最大)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  数据保持电压:最小2V
  输入/输出电平:TTL兼容
  封装引脚数:54
  封装尺寸:具体尺寸因封装类型而异

特性

AS4C4M32D1A-5BCN 是一款高性能的异步SRAM芯片,具有以下显著特性:
  1. 高速访问能力:该芯片的访问时间仅为5.4ns,使其能够满足对数据存取速度要求较高的应用需求,如高速缓存、实时数据处理等场景。
  2. 低功耗设计:尽管具有高速性能,AS4C4M32D1A-5BCN 依然采用了低功耗技术,在保持高性能的同时有效降低能耗,适合对功耗敏感的应用场合。
  3. 宽电压支持:芯片支持3.3V和5V两种电源电压,提高了其在不同系统中的兼容性和适用性。
  4. 工业级温度范围:该芯片能够在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作,适用于工业控制、自动化设备、通信基础设施等严苛环境下的应用。
  5. TTL兼容输入/输出:AS4C4M32D1A-5BCN 的输入/输出信号兼容TTL电平,简化了与数字系统的接口设计。
  6. 高可靠性:由于采用了CMOS工艺,该芯片具有较长的数据保持时间,并且在断电情况下可通过数据保持电压(最低2V)来维持数据完整性,避免数据丢失。
  7. TSOP封装形式:TSOP封装不仅体积小巧,而且具有良好的散热性能和电气特性,适用于高密度PCB布局。

应用

AS4C4M32D1A-5BCN 广泛应用于多个高性能嵌入式系统和工业设备中,包括:
  1. 通信设备:如路由器、交换机和基站设备,用于临时存储路由表、缓冲数据包等。
  2. 工业控制系统:在PLC(可编程逻辑控制器)和工业计算机中,作为高速缓存或临时存储器,提升系统响应速度。
  3. 医疗仪器:用于医疗设备中的数据采集和实时处理,确保高精度和可靠性。
  4. 消费电子产品:如高端数字电视、机顶盒等设备中,用于图像处理和缓存。
  5. 自动化设备:如机器人控制系统、传感器网络,提供快速的数据存储与读取功能。
  6. 网络安全设备:防火墙、入侵检测系统等,用于快速访问规则表和临时数据。
  7. 测试与测量设备:如示波器、频谱分析仪等,用于高速数据采集和处理。

替代型号

AS4C4M32D1A-5BCN 的替代型号包括 ISSI 的 IS61LV5128-5B43BLI 和 Cypress 的 CY62158VLLA55ZSXI。这些型号在容量、访问时间和封装形式上具有相似特性,可以作为备选方案使用。

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AS4C4M32D1A-5BCN参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格189 : ¥31.70540托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织4M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页12ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳144-LFBGA
  • 供应商器件封装144-LFBGA(12x12)