时间：2025/5/23 7:13:30
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AS21P2TLRQ 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该芯片为 N 沟道增强型 MOSFET，具有较高的击穿电压和较低的栅极电荷，适用于多种工业及消费电子领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1250pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻使得该器件在大电流应用中表现优异，能显著减少导通损耗。
2. 高速开关性能使其非常适合高频开关电源设计。
3. 较高的漏源电压允许其在较高电压环境下稳定运行。
4. 内置 ESD 保护电路增强了芯片的可靠性。
5. 工作温度范围宽广，适合各种恶劣环境下的应用需求。
6. 封装形式坚固耐用，便于散热管理。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. LED 照明驱动电路中的开关元件。
5. 各种负载切换和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF2807, FDP2807, AOT2807
