AS1903C31Z是一款由Alliance Semiconductor公司生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256K x 16位,工作电压范围为2.3V至3.6V。该芯片采用了高速CMOS工艺制造,适用于需要高性能和低功耗的应用场景。
类型:SRAM
容量:256K x 16位
工作电压:2.3V至3.6V
访问时间:10ns
封装类型:TSOP
温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
接口类型:并行
封装尺寸:54引脚
AS1903C31Z具备高速访问时间和低功耗特性,能够在广泛的电压范围内稳定工作。其256K x 16位的存储容量适合用于需要大容量SRAM的嵌入式系统和工业控制设备。此外,该芯片支持异步操作,简化了与微处理器或控制器的接口设计。
为了提高系统的可靠性,AS1903C31Z采用了先进的CMOS技术,以减少漏电流和功耗。其TSOP封装形式有助于减小电路板空间,适用于紧凑型设计。此外,该器件的工业级温度范围确保其在严苛的环境条件下也能可靠运行。
该SRAM芯片还具备优异的抗干扰性能,能够在高噪声环境中保持数据完整性。芯片内部集成了地址和数据锁存器,减少了对外部电路的依赖,提高了系统的稳定性。同时,AS1903C31Z符合RoHS环保标准,适合绿色电子产品的设计。
AS1903C31Z广泛应用于通信设备、工业控制系统、医疗设备、测试仪器和汽车电子系统等需要高性能SRAM的场合。由于其低功耗和高速特性,它也常用于电池供电设备和便携式电子产品中。
IS61LV25616-10TLI、CY62148EVLL-45ZE、IDT71V416SA10PFG