AS1902C23Z 时间：2025/8/7 4:58:37 阅读：16

AS1902C23Z是一款由Alliance Memory公司生产的低功耗、高性能的异步静态随机存取存储器（SRAM）。这种存储器被广泛应用于需要快速读写速度和低功耗设计的电子设备中，适用于各种工业和商业领域。AS1902C23Z采用了先进的CMOS技术，提供了稳定可靠的存储解决方案，同时确保了对环境的适应性和耐用性。

参数

容量：256K x 8/512K x 4
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　输入/输出接口：三态输出
　　功耗（最大）：100mA（待机模式下为10mA）

特性

AS1902C23Z SRAM具有多种显著特性，使其成为嵌入式系统和其他高性能存储应用的理想选择。首先，其高速访问时间为55ns，使得设备能够快速响应处理器的读写请求，从而提高整体系统性能。此外，该存储器支持2.3V至3.6V的宽电压范围，确保在不同电源条件下都能稳定运行。CMOS技术的应用不仅降低了功耗，还减少了热损耗，提高了器件的可靠性。
　　AS1902C23Z采用了TSOP封装形式，具有较小的封装尺寸和较高的封装密度，适合空间受限的设计。此外，它支持两种数据宽度模式（256K x 8或512K x 4），提供了灵活的配置选项，以适应不同的系统需求。其三态输出功能可以有效隔离数据总线，减少干扰并提高系统的稳定性。
　　在可靠性方面，AS1902C23Z的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境，能够在极端温度条件下保持稳定运行。同时，其待机模式下的功耗仅为10mA，有助于延长电池供电设备的使用寿命。

应用

AS1902C23Z SRAM广泛应用于各种电子设备和系统中，尤其是在需要高速数据访问和低功耗特性的场合。常见的应用包括工业控制系统、通信设备、消费类电子产品、汽车电子系统、数据采集设备以及嵌入式系统等。在嵌入式系统中，该存储器可以作为缓存或主存储器，提供快速的数据存取能力，从而提升系统的整体性能和响应速度。