AS131-59 时间：2025/8/22 8:29:38 阅读：4

AS131-59 是一款由 Advanced Monolithic Devices (AMD) 生产的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），主要用于射频（RF）和微波频率范围内的低噪声放大器（LNA）应用。这款晶体管以其低噪声系数、高增益和良好的线性性能而著称，适用于通信系统、雷达设备、测试仪器和其他需要高性能射频前端的场合。AS131-59 采用 SOT-343 封装形式，具有紧凑的尺寸和良好的热稳定性，便于在高频率电路中集成。

参数

类型：GaAs FET
　　封装类型：SOT-343
　　工作频率范围：0.5 GHz - 12 GHz
　　噪声系数：0.8 dB（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　输出功率：200 mW
　　漏极电流：60 mA
　　漏极-源极电压：10 V
　　栅极-源极电压：-2.5 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

AS131-59 是一款专为低噪声放大设计的 GaAs FET，其噪声系数仅为 0.8 dB，能够在高频范围内提供优异的信号清晰度和灵敏度。这使得它非常适合用于射频接收器前端，以提高整体系统性能。该器件在 0.5 GHz 至 12 GHz 的频率范围内保持高增益，典型增益为 18 dB，确保在广泛的频段内保持一致的放大效果。
　　此外，AS131-59 具有出色的线性度和稳定性，能够在较大的输入信号范围内保持低失真。其漏极电流为 60 mA，漏极-源极电压为 10 V，支持较高的输出功率能力（200 mW），适用于需要一定功率输出的射频应用。SOT-343 封装不仅节省空间，还具备良好的热管理和机械稳定性，适合在紧凑型高频电路中使用。
　　该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表明其能够在恶劣的环境条件下可靠运行。这种宽温度范围特性使其适用于军事、航空航天以及工业级设备中的射频放大电路。

应用

AS131-59 主要用于构建低噪声放大器（LNA），广泛应用于无线通信系统、卫星接收器、雷达设备、频谱分析仪和射频测试仪器等高性能射频前端电路。其高增益和低噪声特性使其成为提高接收器灵敏度的理想选择。此外，由于其良好的线性度和宽频带响应，AS131-59 也可用于多频段通信设备、微波链路和便携式无线电设备中的射频信号放大。