时间：2025/5/16 17:44:22
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AS0B826-S78B-7H 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种开关电路中。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够在高频和高电流条件下稳定运行。
型号：AS0B826-S78B-7H
类型：N沟道功率MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压(Vdss)：80V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
总功耗(Ptot)：150W
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +175℃
栅极电荷(Qg)：50nC
反向恢复时间(trr)：35ns
AS0B826-S78B-7H 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)仅为1.8mΩ），从而减少了传导损耗并提高了效率。
其次，该器件具备快速的开关速度，其栅极电荷较小（Qg为50nC），这使得它非常适合高频应用。
此外，该芯片采用了坚固的设计，具有较高的雪崩能力和抗静电能力，能够承受突发的过载条件。
它的宽工作温度范围（-55℃至+175℃）确保了在极端环境下的可靠运行。
整体上，这款功率MOSFET在高效能和耐用性方面表现优异。
AS0B826-S78B-7H 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下：
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
2. 电机驱动器，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 工业自动化设备中的开关电路。
4. 新能源汽车中的DC/DC转换器。
5. 充电器及适配器设计中的主功率开关。
6. 太阳能逆变器及其他绿色能源相关产品。
AS0B826-S78B-9H, IRF840, STP45NF06
