AR25-AB1B-A15T是一款由Advanced Linear Devices(ALD)公司生产的低功耗、高精度的模拟开关阵列芯片。该器件属于ALD系列超低阈值模拟开关产品,采用先进的DMOS技术制造,能够在极低的电源电压下正常工作,适用于对功耗和信号完整性要求较高的便携式设备和精密测量系统。AR25-AB1B-A15T集成了多个独立的模拟开关通道,具备优异的导通电阻匹配性和温度稳定性,支持双向信号传输,广泛应用于数据采集系统、自动测试设备、医疗仪器、工业控制以及电池供电设备中。该芯片封装形式为小型化表面贴装封装,有助于节省PCB空间并提升系统集成度。
型号:AR25-AB1B-A15T
制造商:Advanced Linear Devices (ALD)
通道数量:2通道
开关类型:SPDT(单刀双掷)
电源电压范围:±0.8V 至 ±5V(双电源)或 1.6V 至 10V(单电源)
导通电阻(RON):典型值 10Ω,最大值 35Ω
导通电阻匹配性:≤5Ω(通道间匹配)
关断泄漏电流:≤1pA(典型值)
带宽:≥45MHz
输入电压范围:支持轨到轨操作
温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:SOIC-16 或 TSSOP-16(具体以数据手册为准)
功耗:极低静态电流(典型值 <1μA)
AR25-AB1B-A15T的核心特性之一是其基于ALD专有的EPAD? MOS技术,实现了超低阈值电压和极低的导通电阻,使得该器件能够在低至±0.8V的电源电压下可靠运行,这在传统CMOS模拟开关中难以实现。这种能力特别适合用于低电压、低功耗系统,例如由单节锂电池供电的便携式仪器。此外,该芯片具有出色的导通电阻平坦度,在整个输入电压范围内RON变化极小,确保了模拟信号在不同电平下的线性传输性能,避免了因RON非线性引起的信号失真。
另一个关键特性是其极低的漏电流表现,关断状态下的漏电流低于1皮安(pA),这一指标远优于标准CMOS工艺的模拟开关,使其非常适合高阻抗信号源的应用场景,如光电二极管输出信号调理、传感器接口电路等。同时,器件具备良好的通道隔离度和串扰抑制能力,有效防止多通道切换时的信号干扰。
AR25-AB1B-A15T还具备优异的温度稳定性,导通电阻随温度的变化率较低,保证了在宽温环境下系统的长期可靠性与测量精度。其双向传输特性允许信号从任一方向通过,增加了设计灵活性。此外,该器件内部集成静电放电(ESD)保护结构,提高了现场使用的鲁棒性。整体上,该芯片结合了低功耗、高精度、宽电压适应性和高可靠性,是高端模拟信号路由的理想选择。
AR25-AB1B-A15T广泛应用于需要高精度模拟信号切换的场合。在便携式医疗设备中,如手持式心电图仪或多参数监护仪,该芯片可用于多路生物电信号的选择与切换,其低漏电流和低RON特性可最大限度减少信号衰减和噪声引入。在自动测试设备(ATE)中,作为继电器替代方案,它能够实现高速、无机械磨损的信号路径切换,提高测试效率和系统寿命。在数据采集系统中,尤其是在多通道传感器网络中,该器件可用于周期性地将不同传感器信号接入共用的ADC前端,从而降低系统成本和复杂度。
此外,该芯片适用于电池供电的物联网终端节点,其中能量效率至关重要。其亚微安级的静态电流消耗显著延长了设备的待机时间。在精密测量仪器,如数字万用表、示波器前端模块中,AR25-AB1B-A15T可用于输入量程切换或校准信号注入路径的选择,确保测量结果的准确性。工业控制系统中的模拟I/O模块也可利用该芯片实现灵活的信号路由功能。由于其支持单电源和双电源操作,因此兼容多种供电架构,进一步增强了其应用适应性。
AR25-AB1B-A15