时间：2025/5/13 14:58:14
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AQV214EA 是由 Rohm 公司生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型封装，适用于各种开关和功率管理应用。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频条件下提供高效性能。
这款 MOSFET 的额定电压为 30V，适合用于便携式设备、电源管理模块以及消费类电子产品的驱动电路中。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：30V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：7.8A
导通电阻 Rds(on)（典型值，Vgs=10V）：5.6mΩ
总功耗 Ptot：1.2W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：HSOP-A16G-E
AQV214EA 提供了出色的电气特性和可靠性：
1. 极低的导通电阻确保在高电流应用中减少功率损耗。
2. 快速开关能力使得该器件适合高频开关电源和负载点转换器。
3. 高耐压和大电流处理能力增强了其在复杂电路中的适应性。
4. 小型化封装有助于节省印刷电路板空间，特别适合紧凑型设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
AQV214EA 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的开关元件。
3. 各种电池供电设备中的负载开关。
4. 消费类电子产品中的电机驱动和保护电路。
5. 信号调节与功率传输控制。
6. 工业设备中的低压功率管理单元。
IRLZ44N
AO3400
FDP5802
