类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　连续漏极电流（ID）：-400mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-800mA
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　功耗（PD）：300mW
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -10V：650mΩ（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -4.5V：850mΩ（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -2.5V：1.1Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.4V 至 -1.0V
　　输入电容（Ciss）：70pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：45pF（典型值）
　　反向传输电容（Crss）：10pF（典型值）
　　开启延迟时间（td(on)）：4ns（典型值）
　　关断延迟时间（td(off)）：12ns（典型值）

APX358SG-13具备优异的开关特性和低导通电阻，能够在低电压条件下实现高效的功率切换。其栅极阈值电压范围为-0.4V至-1.0V，确保了在低至2.5V甚至更低的逻辑电平下仍能可靠地开启器件，这使得它非常适合作为电池供电系统的控制开关。该MOSFET采用了先进的沟槽技术，优化了载流子迁移路径，从而有效降低了RDS(on)，提升了整体能效。同时，由于其P沟道结构，在用作高边开关时无需额外的电荷泵电路即可实现负载的完全关断，简化了电源设计。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于集成于高密度PCB布局中，还具备良好的热稳定性与机械强度，适合自动化贴片生产流程。该器件在静态工作状态下具有极低的漏电流，有助于延长便携设备的待机时间。此外，APX358SG-13内置的体二极管可提供反向电流保护功能，在某些应用场景中可省去外部分立二极管，进一步节省空间和成本。
　　该MOSFET还表现出较强的抗噪能力和稳定的温度特性，在宽温范围内参数漂移较小，保证了系统运行的一致性与可靠性。经过严格的老化测试和可靠性验证，APX358SG-13可在恶劣环境下长期稳定工作，适用于工业级和消费级双重应用场景。其符合AEC-Q101可靠性标准的部分版本也增强了在汽车电子中的适用潜力。总之，APX358SG-13是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的P沟道MOSFET，是现代低功耗电子系统中理想的开关元件选择。

APX358SG-13主要用于便携式电子设备中的电源开关、负载切换和电池管理系统。典型应用包括智能手机和平板电脑中的LCD背光控制、摄像头模块供电开关、传感器电源域管理以及USB接口的过流保护电路。在这些系统中，该器件可用于切断不使用的功能模块电源以降低待机功耗，从而显著延长电池续航时间。
　　此外，它也被广泛用于各类IoT终端设备，如智能手表、无线耳机、健康监测设备等，作为微控制器直接驱动的负载开关，实现对射频模块、蓝牙芯片或显示单元的精确上电时序控制。在工业自动化领域，APX358SG-13可用于小型PLC模块或传感器节点中的信号通断控制，配合MCU进行远程电源调度。
　　由于其支持逻辑电平驱动且无需复杂外围电路，该器件还可用于替代传统机械继电器或通用双极型晶体管，在需要频繁开关操作的应用中提供更长寿命和更高可靠性。在适配器识别电路或热插拔保护设计中，APX358SG-13也能发挥出色的电压隔离与浪涌抑制作用。总体而言，其轻薄封装和高效性能使其成为现代电子系统中不可或缺的功率控制组件。

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　　 "AO3415",
　　 "FDC6330L",
　　 "SI2301DS",
　　 "RTQ2003-1GB",
　　 "DMG2301U",
　　 "TPSMB18A"
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