时间：2025/7/25 21:04:26
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APTM100UM65SAG 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于高功率密度的功率器件，适用于需要高效能和高可靠性的应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和优异的热性能。该型号的封装形式为 TO-220，便于散热，适用于各种功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：0.012Ω（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（Ptot）：300W
APTM100UM65SAG 具备多项优异特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其导通电阻（Rds(on)）非常低，仅为 0.012Ω，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗极小，从而提高了整体效率。低导通电阻还减少了发热，有助于提高系统的稳定性和可靠性。
其次，该 MOSFET 的漏源电压高达 650V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率转换应用，如开关电源、逆变器和电机驱动系统。栅源电压为 ±20V，确保在各种工作条件下，栅极控制信号的稳定性。
此外，该器件的连续漏极电流高达 100A，表明其具有较强的电流承载能力，适用于大功率负载。结合其低导通电阻和高电流能力，APTM100UM65SAG 可以有效减少功率损耗，提高能量转换效率。
APTM100UM65SAG 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。该封装形式也便于安装在散热片上，进一步提高散热效率，延长器件的使用寿命。
该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表现出良好的热稳定性，适用于各种严苛环境下的应用，如工业自动化、电动汽车、可再生能源系统等。
APTM100UM65SAG 由于其高电压、高电流和低导通电阻的特性，广泛应用于多个领域的功率电子系统。在开关电源（SMPS）中，该 MOSFET 可作为主开关器件，用于高效能的直流-直流（DC-DC）或交流-直流（AC-DC）转换器，提供稳定的电源输出。
在电机驱动系统中，APTM100UM65SAG 可用于构建 H 桥电路，实现对直流电机或步进电机的高效控制。其高电流能力使其适用于大功率电机驱动应用，如电动工具、工业机器人和自动化设备。
此外，该器件还可用于逆变器系统，如太阳能逆变器或不间断电源（UPS）系统。在这些应用中，MOSFET 需要频繁地切换高电压和大电流，而 APTM100UM65SAG 的低导通电阻和高耐压特性使其成为理想选择。
在电动汽车（EV）领域，该 MOSFET 可用于车载充电器、DC-AC 逆变器等关键部件，帮助提高整车的能效和续航能力。同时，它也可用于电池管理系统（BMS）中的开关控制电路，确保电池组的安全和高效运行。
除此之外，APTM100UM65SAG 还可应用于工业控制、电源管理、LED 照明驱动以及高功率 LED 显示屏等场景，提供高效、稳定的功率控制解决方案。
STP100N65FZ, IPW65R012CFD7, IRLU8726PBF
