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APTGT75H120TG 发布时间 时间:2025/12/24 18:17:22 查看 阅读:12

APTGT75H120TG 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的高功率 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于高功率工业和能源管理系统中。该器件具有高电压和大电流处理能力,适用于逆变器、电机控制和电力转换系统等场景。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压:1200V
  最大集电极电流:75A
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247
  导通压降:约2.1V
  短路耐受能力:5μs @ 125°C
  栅极阈值电压:5V 至 6V
  短路电流能力:300A

特性

APTGT75H120TG 具有卓越的性能和可靠性,适用于高功率应用场景。其关键特性包括高短路耐受能力和低导通压降,这使得该模块能够在高电流负载下保持较低的功耗和温升。此外,该模块采用了先进的 IGBT 技术,提供了卓越的开关特性和热稳定性,从而延长了器件的使用寿命。
  为了增强其在高电压和大电流环境下的稳定性,APTGT75H120TG 设计了优化的内部结构,以降低电磁干扰(EMI)并提高器件的抗干扰能力。该模块还支持并联使用,适用于需要更高电流能力的应用,例如大型电机驱动和不间断电源(UPS)系统。
  在热管理方面,APTGT75H120TG 采用了高效的散热设计,能够在高温环境下稳定运行。此外,该模块具有较高的绝缘等级,确保了在高压应用中的安全性和可靠性。

应用

APTGT75H120TG 主要用于高功率电子系统,如工业电机驱动、逆变器、UPS(不间断电源)、可再生能源系统(如太阳能逆变器和风力发电变流器)以及电动汽车充电系统。它也常用于需要高电压和大电流处理能力的电力转换设备中,例如变频器和电能质量调节装置。
  由于其高可靠性和优异的热性能,APTGT75H120TG 还适用于轨道交通系统中的牵引变流器和辅助电源系统。此外,该模块在电力储能系统和智能电网应用中也扮演着重要角色,确保高效的能量转换和稳定的系统运行。

替代型号

SKM75GB12T4, FF75R12KS4P5_B11

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APTGT75H120TG参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道和场截止
  • 配置全桥反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.1V @ 15V,75A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)110A
  • 电流 - 集电极截止(最大)250µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)5.34nF @ 25V
  • 功率 - 最大357W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SP4
  • 供应商设备封装SP4