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APTGT100DU120TG 发布时间 时间:2025/12/24 18:03:07 查看 阅读:13

APTGT100DU120TG 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于高功率和高电压的电力电子系统中。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降的优点,适用于工业电机控制、可再生能源系统、电能转换器等应用场景。

参数

集电极-发射极电压最大值:1200V
  集电极电流最大值:100A
  短路电流耐受能力:200A(10μs)
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  栅极驱动电压:±20V
  导通压降:约2.1V(在100A时)
  封装类型:双列直插式模块(Dual IGBT Module)
  绝缘等级:符合 UL 94 V-0 标准

特性

APTGT100DU120TG 具有出色的热稳定性和电气性能,能够在高温和高电压环境下稳定工作。该模块采用了先进的沟道技术,降低了导通损耗和开关损耗,提高了整体效率。此外,该器件内置了快速恢复二极管,进一步提升了系统的响应速度和可靠性。
  其封装设计具备良好的散热性能,能够有效传导和分散工作过程中产生的热量,避免局部过热导致的性能下降或损坏。该模块还具有较强的短路和过流保护能力,能够在异常情况下快速切断电流,保护系统安全。
  由于采用了模块化设计,APTGT100DU120TG 易于安装和维护,并且可以与其他功率模块组合使用,构建更复杂的电力电子系统。此外,该模块的高可靠性使其适用于恶劣环境下的工业应用,如风力发电、电动汽车充电系统和工业变频器等。

应用

APTGT100DU120TG 主要用于中高功率的逆变器和变频器系统中,例如交流电机驱动器、UPS(不间断电源)、电焊机、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。其高电压和大电流承载能力,使其成为工业自动化、能源管理和电力传输系统中的关键组件。此外,该模块也可用于高频开关电源和功率因数校正(PFC)电路中,提供高效的能量转换方案。

替代型号

FGA25N120ANTD, SKM100GB12T4, IRGP50B60PD1

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APTGT100DU120TG参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道和场截止
  • 配置双,共源
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.1V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)140A
  • 电流 - 集电极截止(最大)250µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)7.2nF @ 25V
  • 功率 - 最大480W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SP4
  • 供应商设备封装SP4