时间：2025/12/24 16:54:32
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APTCV60HM45RT3G 是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款高性能碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管。该器件采用宽禁带半导体材料碳化硅制造，具备高开关速度、低导通损耗和高热导率等优势，适用于高频、高效率的电力电子系统。APTCV60HM45RT3G 采用TO-247封装形式，支持高功率密度设计，并具有良好的热管理和可靠性。
类型：碳化硅（SiC）MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
漏极电流（ID）@25℃：80A
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
栅极电压（VGS）范围：-10V ~ +20V
最大功率耗散：250W
封装类型：表面贴装（SMD）或通孔（Through Hole）
APTCV60HM45RT3G 以其碳化硅技术为基础，展现出卓越的电性能和热性能。其低导通电阻（45mΩ）有效降低了导通损耗，提高系统效率。同时，碳化硅材料允许该器件在更高的开关频率下运行，从而减少无源元件的尺寸和重量，实现更高的功率密度。此外，该MOSFET具备优异的热导率，能够在高温环境下稳定工作，提高了整体系统的可靠性和寿命。
该器件的封装设计（TO-247）确保了良好的散热性能，并与标准硅MOSFET和IGBT的封装兼容，便于设计升级和替换。此外，其栅极驱动电压范围宽（-10V至+20V），便于与各种驱动电路配合使用，提升了设计的灵活性。
APTCV60HM45RT3G 还具有出色的短路耐受能力，适合在高应力环境下工作，如工业电机驱动、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及储能系统等应用场景。
APTCV60HM45RT3G 主要应用于需要高效能功率转换的场合。常见的应用包括电动汽车（EV）充电器、车载充电系统（OBC）、DC-DC转换器、太阳能逆变器、储能系统、工业电机驱动以及不间断电源（UPS）等。由于其碳化硅MOSFET的高频开关特性，特别适用于需要减少开关损耗和提高能量转换效率的设计，有助于系统实现更高的效率和更小的体积。
在电动汽车领域，该器件可广泛用于车载充电器和主驱逆变器中，提升整体能效并降低散热需求。在可再生能源系统中，如光伏逆变器，APTCV60HM45RT3G 能够显著提升系统效率，减少能量损耗，并支持更紧凑的设计。
C3M0045A120J, SCT3045AW, SiC MOSFET 650V 80A
