APT8075BVRG 时间：2025/7/26 1:04:08 阅读：4

APT8075BVRG 是一款由 Advanced Power Technology（简称 APT）制造的高性能 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管。该器件专为高功率密度和高效率应用而设计，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及工业和消费类电子设备中的功率控制电路。APT8075BVRG 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流容量和优异的热性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：80A（在 TC=25℃）
　　漏源击穿电压（VDS）：75V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 4.5mΩ（在 VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V 至 4.0V（在 ID=250μA）

特性

APT8075BVRG 的核心特性在于其低导通电阻和高电流处理能力，使其在高功率应用中表现出色。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得 RDS(on) 极低，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，其 TO-252（DPAK）封装具有良好的热管理性能，能够有效地将热量传导至 PCB 或散热器，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。
　　该 MOSFET 具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在突发负载或异常条件下提供更高的可靠性。APT8075BVRG 的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，支持直接由微控制器或其他逻辑电路驱动，简化了设计复杂度。
　　此外，APT8075BVRG 的宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃）使其适用于各种严苛环境，包括工业自动化、车载电子系统和户外设备等。

应用

APT8075BVRG 主要用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。典型应用场景包括：
　　1. DC-DC 转换器：用于电源管理系统中的升压、降压或反相转换拓扑，实现高效的电压转换。
　　2. 电机驱动：适用于电动工具、机器人、自动化设备中的电机控制电路。
　　3. 电源管理模块：用于服务器、计算机、通信设备中的电源分配和负载开关控制。
　　4. 工业控制系统：用于可编程逻辑控制器（PLC）、工业变频器和自动化设备中的功率开关。
　　5. 电池管理系统（BMS）：用于电动车、储能系统中的充放电控制电路。
　　6. 消费类电子产品：如高功率音频放大器、智能家电和电源适配器等。