时间：2025/12/26 21:20:45
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APT8024B2FLLG是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）推出的高性能功率MOSFET器件，采用先进的Trench沟道技术制造，专为高效率、高密度电源转换应用而设计。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on)）、优良的开关特性和热稳定性，适用于多种电源管理场景，包括DC-DC转换器、同步整流、电机驱动以及负载开关等。APT8024B2FLLG封装于紧凑的LFPAK或Power SO-8封装中，具备良好的散热性能和可靠性，能够满足工业、消费类电子及通信设备对小型化和高效能的需求。其额定电压为80V，连续漏极电流可达24A，适合在中等功率范围内工作的系统中替代传统TO-220或D-Pak封装的MOSFET。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无铅（Pb-free）和绿色材料特性，支持现代电子产品对环境友好型元器件的要求。得益于AOS在功率半导体领域的深厚积累，APT8024B2FLLG在栅极电荷、输出电容和跨导等方面进行了优化，有助于降低开关损耗并提升整体系统效率。
型号：APT8024B2FLLG
制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：80V
连续漏极电流(ID)：24A @ 25°C
脉冲漏极电流(IDM)：96A
导通电阻(RDS(on))：13.5mΩ @ VGS=10V, ID=12A
栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
栅极电荷(Qg)：27nC @ VGS=10V
输入电容(Ciss)：1320pF @ VDS=40V
反向恢复时间(trr)：28ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装类型：LFPAK (Power SO-8)
APT8024B2FLLG的核心优势在于其采用的先进Trench结构设计，这种结构显著降低了单位面积下的导通电阻，从而提升了器件的整体效率。该MOSFET在低VGS电压下即可实现快速开启，具备优异的栅极控制能力，使得其在同步降压变换器等需要高频开关的应用中表现出色。其低Qg特性减少了驱动电路所需的能量，降低了控制器的负担，同时也有助于减少EMI干扰。器件的Coss较低且线性度好，有利于软开关拓扑中的能量回收与谐振操作。此外，其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr），可有效抑制换流过程中的电压尖峰，提升系统可靠性。
热性能方面，APT8024B2FLLG采用了高导热性的封装材料和优化的内部连接工艺，确保热量能迅速从芯片传导至PCB焊盘，进而散发到环境中。这使其在高负载条件下仍能保持稳定的电气性能，避免因过热导致的性能下降或失效。该器件还具备良好的雪崩耐量，能够在瞬态过压事件中提供一定程度的自我保护，增强了系统的鲁棒性。在制造过程中，AOS实施了严格的质量控制流程，保证了产品的一致性和长期可靠性。APT8024B2FLLG支持自动化贴装工艺，适用于现代SMT生产线，提高了生产效率并降低了组装成本。综上所述，该器件在效率、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中低压大电流功率转换应用的理想选择。
APT8024B2FLLG广泛应用于各类高效率电源系统中。在DC-DC转换器领域，它常用于同步整流拓扑结构中作为下管或上管使用，特别是在笔记本电脑、服务器主板、显卡供电模块等需要多相VRM设计的场合，能够有效降低导通损耗，提高转换效率。在便携式设备如移动电源、充电器和LED驱动电源中，该器件凭借其小封装和高功率密度特性，有助于实现产品的小型化和轻量化。在电机控制应用中，例如无人机电调、电动工具和家用电器的BLDC驱动电路中，APT8024B2FLLG可以作为H桥中的开关元件，提供快速响应和低功耗运行。此外，该器件也适用于热插拔控制器、OR-ing二极管替代方案以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，利用其低RDS(on)和快速开关能力来减少能量损耗并提升系统响应速度。在通信基础设施设备如基站电源、光模块供电单元中，APT8024B2FLLG同样发挥着重要作用，保障信号链路的稳定供电。由于其符合工业级温度范围要求，因此也可部署于工业自动化控制系统、PLC模块和智能电表等严苛环境下运行的设备中。总体而言，凡是需要高效、紧凑且可靠的80V N沟道MOSFET解决方案的场景，APT8024B2FLLG均是一个极具竞争力的选择。
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"AOZ8024B2FLLG",
"APW8024B2FLLG",
"SISS8024B2FLLG",
"FDMS8024B2FLLG"
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