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APT75GT120JRDQ3 发布时间 时间:2025/7/26 4:09:11 查看 阅读:6

APT75GT120JRDQ3 是一款由 Microchip Technology(原 Allegro MicroSystems)生产的高功率 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛用于需要高效能和高可靠性的工业应用中。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和 BJT 的低导通压降的优点,适用于高电流和高电压的工作环境。

参数

类型:IGBT 模块
  最大集电极-发射极电压:1200V
  最大集电极电流:75A
  导通压降:约2.1V(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:PowerPAK
  安装类型:表面贴装
  热阻(RthJC):约0.35°C/W

特性

APT75GT120JRDQ3 是一款高性能的 IGBT 模块,具备卓越的电气特性和热稳定性。其主要特性包括高耐压能力、低导通压降和高开关速度,使其在功率转换应用中表现出色。该模块采用了先进的 IGBT 技术,具有良好的导通损耗和开关损耗平衡,从而在高频工作条件下仍能保持较高的效率。此外,其优异的热性能使得器件在高功率负载下也能保持较低的工作温度,提高整体系统的稳定性和寿命。
  该器件还内置了短路保护和过热保护功能,进一步增强了其在严苛工业环境中的可靠性。APT75GT120JRDQ3 的设计使其能够在各种高功率密度和高效率要求的应用中发挥出色性能。

应用

APT75GT120JRDQ3 主要应用于工业电机驱动、电力逆变器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等高功率电子设备中。其高耐压能力和大电流承载能力使其非常适合用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。在工业自动化和能源管理系统中,该 IGBT 模块也常被用于功率因数校正(PFC)和变频器控制电路中,提供高效的功率转换和稳定的性能。
  此外,该模块在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电能管理系统中也有广泛应用,例如用于 DC-AC 逆变器以驱动电机,或用于车载充电器以实现高效的能量转换。

替代型号

APT75GT120JRDQ3B, APT75GT120JRDQ2, APT75GT120JQ0B

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APT75GT120JRDQ3参数

  • 标准包装30
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列Thunderbolt IGBT®
  • IGBT 类型NPT
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.7V @ 15V,75A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)97A
  • 电流 - 集电极截止(最大)200µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)5.1nF @ 25V
  • 功率 - 最大480W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装ISOTOP?
  • 其它名称APT75GT120JRDQ3GAPT75GT120JRDQ3G-ND