类型：N沟道MOSFET
　　额定电压：1200V
　　额定电流：75A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω
　　封装类型：Gull Wing
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　功耗：300W
　　栅极电荷：180nC
　　短路耐受能力：有

APT751R2BN-GULLWING 拥有高效的导通性能和低导通损耗，能够在高频率条件下稳定运行。其 Gull Wing 封装不仅提供了良好的散热效果，还增强了器件的机械稳定性，适合在高温环境下使用。
　　此外，该器件具备较高的短路耐受能力，能够承受短暂的过载工况而不损坏。这使得 APT751R2BN-GULLWING 在要求苛刻的电力电子系统中表现出色，如逆变器、不间断电源（UPS）和电焊设备等。
　　该晶体管的栅极驱动电路设计相对简单，降低了外部驱动元件的需求，从而简化了整体系统设计并提高了可靠性。同时，其低漏源导通电阻确保了更低的能量损耗，有助于提升整体系统的能效。

APT751R2BN-GULLWING 主要应用于需要高功率密度和高效能的电力电子设备中。典型的应用包括工业电机驱动、高频开关电源、直流-交流逆变器、电焊机以及不间断电源系统（UPS）。
　　在电机控制领域，它可用于高性能变频器的设计，提供快速响应和稳定的输出。而在电源管理系统中，该器件可有效提升转换效率，减少能量损耗。由于其卓越的热管理和电气性能，APT751R2BN-GULLWING 还被广泛用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及其他新能源相关设备中。

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　　 "APT751R2BN",
　　 "APT751R2BNL",
　　 "APT751R2B2D"
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