时间：2025/4/25 10:51:49
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APT56M60L 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
该器件为 N 沟道增强型功率 MOSFET，适合用于高频开关应用。其设计优化了栅极电荷和输出电容，从而提高了效率并降低了开关损耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：98nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 48A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，具有较低的栅极电荷和输出电容，适用于高频开关应用。
4. 宽温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种严苛的工作环境。
5. 可靠性高，具备良好的抗雪崩能力和热稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS)。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换组件。
6. 各种需要高效功率切换的场合。
APT56M60E, IRF540N, FDP55N60
