时间：2025/7/25 22:02:24
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APT50M65JFLL是一款由Microsemi（现为Microchip子公司）生产的功率MOSFET器件，主要用于高功率、高效率的电源转换系统。该器件采用了先进的沟槽栅（Trench Gate）技术和优化的硅工艺，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。APT50M65JFLL适用于工业电源、服务器电源、不间断电源（UPS）、电动工具以及电动汽车充电系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
漏极电流(Id)：50A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大值为0.085Ω
栅极电荷(Qg)：150nC
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
APT50M65JFLL具有多项关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其650V的漏源电压额定值使其适用于高电压输入的电源系统，同时具备良好的抗过压和抗雪崩能力。其次，该MOSFET的导通电阻非常低，降低了导通损耗，从而提高了系统效率。此外，其高电流处理能力（50A）使其适用于大功率DC-DC转换器和逆变器应用。
该器件采用了TO-247封装，具有良好的热管理和散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定运行。此外，APT50M65JFLL具有较低的栅极电荷（Qg），这有助于减少开关损耗，提高开关频率，从而减小外围元件的尺寸并提高功率密度。其工作温度范围广泛（-55°C至175°C），适应了各种严苛的工业和车载环境。
APT50M65JFLL广泛应用于各种高功率电子系统中，如工业电源、服务器电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动工具驱动器以及电动汽车车载充电器等。此外，它还可用于高频开关电源和电机驱动系统中，提供高效的能量转换和稳定的性能表现。
APT50M65BDC、APT50M65JND、APT50M65JFZLL、STP55N65FA、STP55N65M5
