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APT5014BLLG 发布时间 时间:2025/7/25 14:57:27 查看 阅读:3

APT5014BLLG 是一款由 Microchip Technology 生产的功率 MOSFET 晶体管,属于高性能功率半导体器件。该器件采用先进的 Trench 技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,适用于多种电源管理和功率转换应用。APT5014BLLG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,适用于高效率 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关和电池供电设备等应用场景。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):14mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-263(D2Pak)
  功率耗散(Pd):190W

特性

APT5014BLLG 采用先进的 Trench MOS 技术,使得其在高电流条件下仍能保持较低的导通压降,从而降低功率损耗,提高系统效率。该器件的低导通电阻(Rds(on))为 14mΩ,在 Vgs=10V 的驱动条件下,可以支持高达 50A 的连续漏极电流,适用于高功率密度设计。
  此外,APT5014BLLG 具有良好的热稳定性和较高的可靠性,能够在高温环境下稳定工作。其 TO-263(D2Pak)表面贴装封装形式,不仅便于 PCB 布局和焊接,还具有良好的散热性能,适合用于自动化生产和高密度电路设计。
  该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V,兼容标准的 10V 和 12V 驱动电路,同时具备较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗,提高开关频率下的效率表现。APT5014BLLG 还具备雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护功能。

应用

APT5014BLLG 广泛应用于各种电力电子系统中,如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制器、电池管理系统(BMS)、电源适配器、UPS(不间断电源)和工业自动化设备等。其高电流承载能力和低导通损耗使其成为高效电源转换系统的理想选择。在汽车电子领域,APT5014BLLG 可用于车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器等应用。此外,该器件也适用于太阳能逆变器、储能系统和服务器电源等高可靠性要求的工业级应用。

替代型号

SiHH50N100E、IRF3710、IPW90R120C3、APT5015BLLG

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APT5014BLLG参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列POWER MOS 7®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C140 毫欧 @ 17.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3261pF @ 25V
  • 功率 - 最大403W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247 [B]
  • 包装管件