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APT4F120K 发布时间 时间:2025/12/24 16:51:43 查看 阅读:91

APT4F120K 是一款由 Microchip Technology 生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于其先进的功率技术系列。这款MOSFET专门设计用于高功率、高效率的应用,例如电源转换器、DC-DC变换器、电机控制以及工业自动化设备。APT4F120K采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,能够在高电流和高电压条件下稳定工作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(Id):4A
  最大漏-源电压(Vds):120V
  最大栅-源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):典型值为 0.35Ω(在Vgs=10V时)
  功率耗散(Pd):50W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

APT4F120K MOSFET 具有多个高性能特性,使其适用于广泛的功率电子应用。首先,它的导通电阻非常低,通常为 0.35Ω,这有助于降低功率损耗并提高系统的整体效率。其次,该器件具有较高的耐压能力,漏-源电压(Vds)最大可达120V,使其适用于中高功率电源系统。此外,APT4F120K 的栅极电荷(Qg)较低,从而减少了开关损耗,提高了高频应用中的性能。
  另一个显著的特性是其优异的热管理能力。APT4F120K 采用高效的散热封装,能够承受较大的功率耗散(高达50W),确保在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。这种特性使其在高温环境下具有更强的可靠性。
  该MOSFET还具备较强的短路耐受能力,能够在短暂的过载条件下保持稳定运行。同时,它的栅极保护二极管设计可以防止静电放电(ESD)对器件造成损害,提高了器件的耐用性和可靠性。APT4F120K 还具有快速的开关速度,适合用于高频开关应用,例如DC-DC转换器、同步整流器和PWM控制电路。

应用

APT4F120K MOSFET 主要应用于需要高效率、高功率密度的电子系统中。它广泛用于电源管理领域,如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、负载开关和电源模块。此外,APT4F120K 也非常适合用于电机控制和工业自动化设备,例如伺服驱动器、步进电机控制器和工业机器人电源系统。
  在消费类电子产品中,APT4F120K 也常用于笔记本电脑、平板电脑和智能电视的电源管理模块。在这些应用中,低导通电阻和高效的热管理性能可以显著提高设备的能效和稳定性。
  由于其优异的开关特性和高耐压能力,APT4F120K 也被广泛用于新能源领域,如太阳能逆变器、储能系统和电动车充电模块。在这些高压高功率系统中,APT4F120K 能够提供可靠的功率控制和能量转换功能。

替代型号

APT4F120K 可以被 APT4F120L、APT4F120B、IRF540N 和 FDP4F120N 等型号替代,这些器件在参数性能和封装形式上具有相似的特性,适用于相同的应用场景。

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APT4F120K参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.6 欧姆 @ 2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 500µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1385pF @ 25V
  • 功率 - 最大225W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件
  • 其它名称APT4F120KMIAPT4F120KMI-ND