APT47N60SC3 时间：2025/7/16 8:35:54 阅读：9

APT47N60SC3 是一款由 Microchip Technology 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高功率应用，例如电源管理、DC-AC 逆变器和电机控制。该器件采用第三代超级结技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力（600V）以及良好的热性能，适合在高温和高负载条件下运行。

参数

类型: N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）: 600V
　　栅源电压（VGS）: ±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C: 47A
　　RDS(on)（最大值）: 0.18Ω @VGS=10V
　　工作温度范围: -55°C 至 150°C
　　封装类型: TO-220
　　技术: 第三代超级结 MOSFET

特性

APT47N60SC3 采用第三代超级结技术，显著降低了导通损耗并提高了效率。其 RDS(on) 仅为 0.18Ω，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 具有高雪崩能量耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。其 TO-220 封装设计提供了良好的散热性能，能够在高负载条件下稳定运行。此外，APT47N60SC3 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　该器件还具备出色的热稳定性和抗短路能力，使其在严苛的工作环境中依然能够保持稳定性能。其栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容大多数标准 MOSFET 驱动器。此外，APT47N60SC3 还具有较低的漏电流和优异的开关性能，适用于高频开关应用。

应用

APT47N60SC3 广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-AC 逆变器、电机驱动、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及电动汽车充电系统等领域。其高耐压能力和低导通电阻特性使其成为高功率密度设计的理想选择，尤其是在需要高效能和高可靠性的工业和汽车应用中。此外，APT47N60SC3 也适用于高频开关应用，如谐振变换器和 LLC 转换器，能够在高频率下保持较低的开关损耗。
　　由于其出色的热性能和抗短路能力，APT47N60SC3 也常用于电机控制和电动工具中，确保在高负载和高温环境下稳定运行。