时间：2025/7/26 7:27:49
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APT30M85BVRG是一款由Microchip Technology推出的高性能、高可靠性的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于MOSFET系列中的N沟道类型，广泛应用于工业电源、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及各种高功率电子设备中。APT30M85BVRG采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备优异的导通电阻（Rds(on)）性能和良好的热稳定性。其封装形式为TO-263（D2PAK），便于散热并适用于表面贴装工艺。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：85V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：3.0mΩ（最大值，典型值为2.5mΩ）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
功率耗散（Pd）：300W
栅极电荷（Qg）：140nC（典型值）
漏极电感（Ld）：5nH（典型值）
APT30M85BVRG具有多项突出的电气和热性能特性，适用于高功率密度和高效率的设计需求。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。这一特性使得该器件在高电流应用中表现出色，特别适用于需要低电压降和高效率的电源转换器设计。
其次，APT30M85BVRG采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能。TO-263封装不仅具备较高的散热能力，还支持表面贴装工艺，提高了制造效率和可靠性。
此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，增强了在突发负载或过压情况下的稳定性，从而提高了系统的耐用性和安全性。
APT30M85BVRG的栅极驱动特性优化良好，支持快速开关操作，降低了开关损耗。这对于高频开关电源和电机控制应用尤为重要，有助于提高系统响应速度并减少能量损失。
最后，该MOSFET具备宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），可在严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
APT30M85BVRG因其高电流能力和低导通电阻，广泛应用于多个高功率电子系统领域。在电源管理领域，它常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路，以实现高效的能量转换。在工业自动化系统中，该器件可用于电机驱动器、伺服控制器和电源分配单元，提供可靠的高电流输出能力。
在汽车电子领域，APT30M85BVRG可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及车载逆变器等应用。其高可靠性和宽温度范围使其成为车载环境下的理想选择。
此外，该MOSFET也适用于储能系统、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等新能源应用，确保系统在高负载条件下的稳定运行。其优异的热性能和耐用性也使其成为工业级和军事级设备中常见的功率开关元件。
SiR182DP-T1-GE3, FDP180N10A, IPB180N10N3 G, STP180N10F7
