时间：2025/7/25 22:01:48
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APT30F50S 是一款由 Microchip Technology 推出的功率 MOSFET 晶体管，采用 N 沟道增强型结构，适用于高频率和高效率的开关电源应用。该器件封装在 TO-220 或 TO-263（D2PAK）封装中，具有良好的热性能和高电流承载能力。APT30F50S 主要用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：50V
漏极电流（ID）：30A
导通电阻（RDS(on)）：37mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220、TO-263
APT30F50S 具有低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在高电流和高频应用中表现出色，适合用于同步整流器和 DC-DC 降压转换器。其高栅极电压容限（±20V）确保了在不同驱动条件下的稳定性和可靠性。此外，APT30F50S 的封装设计提供了良好的散热性能，使其在高功率密度应用中能够保持较低的工作温度，从而延长使用寿命并提高系统稳定性。
这款 MOSFET 还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提升电源转换效率。其增强型结构设计使得在关断状态下漏电流极小，有助于降低静态功耗。APT30F50S 在制造过程中采用了先进的工艺技术，确保了器件在恶劣工作环境下的稳定性和耐用性。
APT30F50S 主要用于各种功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关和电源管理模块。它特别适用于需要高效率、高频率操作和紧凑设计的场合，例如笔记本电脑适配器、服务器电源、LED 驱动器以及工业自动化控制系统中的功率模块。
IRF3205, SiR34L01DP-T1-GE3, FDP3370
