类型：双功率 MOSFET 模块
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：120V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 48mΩ
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　栅极电荷（Qg）：典型值 40nC
　　短路耐受能力：有
　　安装类型：表面贴装
　　热阻（Rth）：结至壳热阻 0.65°C/W

APT30DQ120SG 的主要特性之一是其双 MOSFET 架构，集成了两个 N 沟道 MOSFET 在一个封装中，非常适合半桥或同步整流等拓扑结构。该模块采用了先进的沟道技术，确保了低导通电阻和出色的开关性能。其导通电阻 Rds(on) 典型值仅为 48mΩ，这在大电流应用中显著降低了导通损耗，提高了能效。
　　此外，APT30DQ120SG 具有良好的热管理能力。其封装设计优化了散热性能，热阻（Rth）仅为 0.65°C/W，这意味着在高负载条件下仍能保持较低的结温，延长器件寿命并提高系统可靠性。该模块的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于工业级和汽车级应用环境。
　　另一个重要特性是其出色的短路耐受能力，这使得 APT30DQ120SG 在突发短路或过载情况下仍能维持稳定运行，避免损坏。此外，该器件的栅极电荷 Qg 典型值为 40nC，支持高频开关操作，从而减少了开关损耗，并允许使用更小的外围元件，如电感和电容，提升整体系统的功率密度。
　　APT30DQ120SG 还采用了表面贴装（SMD）封装，简化了 PCB 布局和组装流程，同时提供了良好的机械稳定性和电气连接可靠性。这种封装方式也有助于减少寄生电感，提升高频性能。

APT30DQ120SG 广泛应用于多种高功率、高效率的电子系统中。其典型应用包括工业电机驱动器、伺服控制系统、电源逆变器、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动工具和电动汽车的电源管理系统。
　　在电机控制和伺服系统中，APT30DQ120SG 可用于构建半桥拓扑结构，提供快速响应和高效能的功率开关功能。由于其低导通电阻和快速开关特性，能够在高频 PWM 控制下实现精确的电机转矩和速度控制。
　　在电源逆变器和 DC-DC 转换器中，APT30DQ120SG 的高效率特性使其成为理想选择，特别是在需要高功率密度和高可靠性的工业和车载电源系统中。此外，其良好的短路耐受能力也增强了系统在异常条件下的稳定性。
　　在可再生能源领域，如太阳能逆变器，APT30DQ120SG 可用于直流到交流的转换环节，提供高效、可靠的功率转换能力，有助于提高整体系统的能源利用效率。

SiC MOSFET 模块如 Cree 的 C3M0065090J 或 Infineon 的 IMW120R048M1H，适用于更高效率需求的应用。此外，传统硅基 MOSFET 模块如 IXYS 的 IXDN614PI 和 STMicroelectronics 的 STD30ND120K4 可作为替代选项。