APT2X61D120J 时间：2025/12/24 17:14:26 阅读：25

APT2X61D120J是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），专为高功率应用设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点，使其在高电压和高电流环境下表现出色。APT2X61D120J采用先进的芯片技术和封装设计，确保了在严苛工作条件下的稳定性和可靠性，适用于工业电机驱动、电力转换系统和可再生能源设备等应用。

参数

类型：IGBT
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：1200V
　　最大集电极电流（Ic）：60A
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：模块化封装
　　短路耐受能力：有
　　导通压降：约2.1V
　　最大功耗：300W
　　热阻（Rth）：0.35°C/W
　　栅极电荷（Qg）：约120nC

特性

APT2X61D120J具备多项先进特性，确保其在高功率应用中的卓越性能。首先，其最大集电极-发射极电压为1200V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电力电子系统。该器件的最大集电极电流为60A，支持高电流工作，满足大功率需求。其模块化封装设计不仅提高了散热效率，还增强了机械强度，确保在高温和高湿环境下依然稳定运行。
　　此外，APT2X61D120J具有良好的短路耐受能力，能够在突发短路情况下提供额外的安全保障。导通压降约为2.1V，较低的导通损耗使其在高负载条件下仍能保持较高的效率。该器件的最大功耗为300W，配合0.35°C/W的热阻值，能够有效控制温度上升，延长使用寿命。
　　栅极电荷约为120nC，APT2X61D120J在开关过程中具有较低的驱动损耗，适合高频开关应用。该器件的封装设计符合工业标准，便于安装和维护，适用于各种复杂的电气环境。其先进的芯片技术和优化的内部结构设计也提升了抗电磁干扰（EMI）能力，降低了系统的噪声和干扰，提高了整体系统的稳定性。

应用

APT2X61D120J广泛应用于多个高功率领域，包括工业电机驱动、变频器、电力转换系统、不间断电源（UPS）、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）、电动汽车充电设备以及电焊机等。在这些应用中，APT2X61D120J能够提供高效的功率转换和可靠的系统保护，满足复杂工作条件下的性能要求。