APT2X101D20J 是一款由 Advanced Power Technology(简称 APT)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。该型号属于高压、大电流MOSFET,适用于电源转换、开关电源(SMPS)、电机控制及工业自动化等领域。该器件采用了先进的平面技术,具备低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和高耐压能力,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):200V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):16A(在Tc=25°C)
脉冲漏极电流(Idm):64A
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220AB
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.18Ω(在Vgs=10V时)
APT2X101D20J 具备多项优异特性,首先其低导通电阻能够显著减少导通状态下的功率损耗,提高电源转换效率。该器件的高耐压能力(200V)使其适用于多种高压应用场景,如DC-DC转换器、AC-DC电源模块和电机驱动电路。
此外,APT2X101D20J 的高开关速度可有效降低开关损耗,提高系统响应速度,适用于高频开关应用。其封装形式为TO-220AB,具有良好的散热性能,能够适应较高功率密度的设计需求。
该器件还具备良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣工作环境下稳定运行。同时,其栅极驱动要求较低,便于与常见的驱动电路兼容,降低了设计复杂度。
APT2X101D20J 主要应用于以下领域:
? 开关电源(SMPS)中的高压开关元件
? 电机驱动与控制电路
? 工业自动化设备中的功率开关模块
? DC-DC转换器和AC-DC电源适配器
? 逆变器和不间断电源(UPS)系统
由于其高可靠性和良好的电气性能,该器件也常用于需要长时间稳定运行的工业控制系统和电源设备中。
IXTP16N20X、STP16NF20、IRFZ44N、APT2X101D20U