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APT2X100D50J 发布时间 时间:2025/8/5 12:45:00 查看 阅读:25

APT2X100D50J 是一款由 Microchip Technology 推出的双极型晶体管(BJT),专为高功率和高频应用而设计。这款晶体管属于 APT(Advanced Power Technology)系列,广泛用于射频(RF)放大器、功率放大器、开关电路和工业控制设备中。APT2X100D50J 采用先进的制造工艺,确保了高稳定性和可靠性,适用于苛刻的工业和商业环境。

参数

晶体管类型:NPN 双极型晶体管
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):75 V
  最大功耗(Pd):300 mW
  最大工作温度:150°C
  封装类型:SOT-23
  频率响应:高频(HF)
  增益带宽积(fT):250 MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据电流和电压变化)

特性

APT2X100D50J 是一款具有高性能的双极型晶体管,适用于各种高频和功率放大应用。其 NPN 结构使得它在正向偏置时具有良好的导通性能,并能在高频率下保持稳定的增益。该晶体管的最大集电极电流为 100 mA,最大集电极-发射极电压为 50 V,能够在相对较高的电压下工作,适合用于低功率放大和开关控制。
  该晶体管的封装采用 SOT-23 封装形式,体积小巧,便于在 PCB 上布局,并具有良好的热稳定性和散热性能。其高频响应能力(fT 高达 250 MHz)使其适用于射频放大器、无线通信模块、振荡器和混频器等应用。
  APT2X100D50J 的 hFE 值范围为 110 至 800,根据工作电流和电压的变化而有所不同。这使得它在不同的工作条件下都能保持较高的电流放大能力,适用于需要高增益的放大电路。此外,其最大功耗为 300 mW,能够在相对较高的功耗下稳定工作,适用于需要较高功率输出的小型电子设备。
  该晶体管的工作温度范围较宽,最高可达 150°C,因此在高温环境下仍能保持稳定的性能。这一特性使其非常适合用于工业控制、汽车电子和通信设备等对温度要求较高的应用场合。

应用

APT2X100D50J 广泛应用于多个电子领域,包括射频(RF)放大器、小信号放大器、开关电路、振荡器、混频器和调制电路等。它常用于无线通信设备、音频放大器、工业控制系统和测试测量仪器中。由于其高频响应和良好的增益特性,APT2X100D50J 也常被用于射频识别(RFID)系统、远程控制模块和无线传感器网络中的信号放大和处理电路。

替代型号

BCX70G, 2N3904, 2N2222, MMBT2222, PN2222

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