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APT200GN60J 发布时间 时间:2025/12/25 6:04:40 查看 阅读:23

APT200GN60J是一款由Microsemi(现为Littelfuse旗下品牌)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业电机驱动、变频器、UPS(不间断电源)以及电力电子变换装置中。该模块具有较高的功率密度和良好的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的场景。

参数

类型:IGBT模块
  额定集电极-发射极电压(Vce):600V
  额定集电极电流(Ic):200A
  短路耐受能力:典型值10μs
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装类型:双列直插式(DIP)
  封装尺寸:130mm x 76mm x 15mm
  导通压降(Vce_sat):约2.1V(在Ic=200A时)
  栅极驱动电压范围:±20V
  热阻(Rth):约0.35°C/W
  最大功耗:约3.5kW

特性

APT200GN60J模块采用了先进的IGBT芯片技术,具备较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体系统效率。该模块的内部结构设计优化了热管理性能,使得热量能够更有效地从芯片传导到散热器,延长了器件的使用寿命。
  此外,APT200GN60J具有较强的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流冲击,而不造成永久性损坏,这使得它在应对突发负载或异常工况时表现出色。模块的封装设计符合IEC标准,并具备良好的机械强度和绝缘性能,适用于各种严苛的工作环境。

应用

APT200GN60J广泛应用于工业电机控制、变频器、逆变器、不间断电源(UPS)、电焊机、电磁感应加热系统以及可再生能源系统(如太阳能逆变器和风力发电变流器)。其高可靠性和高效能特性也使其适用于电动汽车充电设备和轨道交通系统中的电力转换装置。

替代型号

APT200GN60B, APT200GN60JRD, APT200GN60HRD

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APT200GN60J参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道和场截止
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.85V @ 15V,200A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)283A
  • 电流 - 集电极截止(最大)25µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)14.1nF @ 25V
  • 功率 - 最大682W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳ISOTOP
  • 供应商设备封装ISOTOP?
  • 其它名称APT200GN60JMIAPT200GN60JMI-ND