时间：2025/7/26 2:32:38
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APT18M80S 是一款由 Microchip Technology 生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专门设计用于高功率、高效率的应用。该器件具有低导通电阻和高耐压能力，适用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制和工业自动化等需要高可靠性的场景。APT18M80S 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，能够在高电流和高温环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：800V
最大漏极电流（Id）：18A
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1V ~ 4.0V
最大功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
APT18M80S MOSFET 具有多个关键特性，使其适用于各种高功率应用场景。首先，其高耐压能力（800V）使其适用于高输入电压的电源系统，如工业电源、电池充电器和光伏逆变器。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）为 0.25Ω，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，其高电流承载能力（18A）使其能够支持较大的负载，适用于电机驱动和DC-DC转换器等应用。
该器件采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，有助于在高功率密度设计中有效管理热量。此外，APT18M80S 的栅极阈值电压范围较宽（2.1V ~ 4.0V），支持与多种控制电路的兼容性，便于集成到不同类型的系统中。由于其高可靠性和耐用性，该器件在恶劣工作环境下仍能保持稳定运行，适用于工业和汽车电子等高要求领域。
此外，APT18M80S 还具备较快的开关速度，有助于减少开关损耗并提高系统效率。这使其在高频开关电源和同步整流器中具有良好的表现。同时，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，提高了在瞬态电压冲击下的稳定性，降低了损坏风险。
APT18M80S 主要用于高功率和高效率的电子系统中。常见的应用包括：DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动、逆变器、电池管理系统、工业自动化设备、LED照明驱动电源以及太阳能逆变器等。在这些应用中，APT18M80S 能够提供高效的功率开关功能，确保系统的稳定性和可靠性。其高耐压和高电流能力使其特别适合于需要承受高压和大电流的场合，如工业电源供应和电动车充电系统。
IXFH18N80Q, STF18N80K5, FQA18N80C, APT18M80SV
