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APT15GT120BRDQ1G 发布时间 时间:2022/11/16 15:12:13 查看 阅读:776

    类别:分离式半导体产品

    家庭:IGBT - 单路

    系列:Thunderbolt IGBT

    IGBT 类型:NPT

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V

    Vge, Ic时的最大Vce(开):3.6V @ 15V, 15A

  


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:IGBT - 单路

    系列:Thunderbolt IGBT

    IGBT 类型:NPT

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V

    Vge, Ic时的最大Vce(开):3.6V @ 15V, 15A

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):36A

    功率 - 最大:250W

    输入类型:标准型

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-247

    包装:管件

    供应商设备封装:TO-247 [B]

    其它名称:APT15GT120BRDQ1GMIAPT15GT120BRDQ1GMI-ND


资料

厂商
Microsemi

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APT15GT120BRDQ1G参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列Thunderbolt IGBT®
  • IGBT 类型NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.6V @ 15V,15A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)36A
  • 功率 - 最大250W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247 [B]
  • 包装管件
  • 其它名称APT15GT120BRDQ1GMIAPT15GT120BRDQ1GMI-ND