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APT15D100BHBG 发布时间 时间:2025/7/25 20:00:44 查看 阅读:9

APT15D100BHBG是一款由Microchip Technology(原Atmel)生产的功率MOSFET模块,适用于高功率和高可靠性应用。该模块采用双路N沟道MOSFET结构,具有优异的热性能和电流承载能力,广泛用于工业电机控制、电源转换、逆变器和电动汽车系统等领域。

参数

类型:功率MOSFET模块
  配置:双路N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):100V
  连续漏极电流(ID):15A(每个通道)
  导通电阻(RDS(on)):典型值55mΩ(每个通道)
  封装类型:表面贴装,HB(Half Bridge)模块
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C

特性

APT15D100BHBG具有低导通电阻,可显著降低导通损耗并提高系统效率。其采用先进的封装技术,具备良好的散热性能,能够适应高温工作环境。此外,该器件内部集成双路MOSFET,适用于半桥拓扑结构设计,简化了PCB布局并提高了系统可靠性。
  该模块还具有低栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗,适用于高频开关应用。MOSFET的雪崩能量等级高,增强了器件在瞬态过压条件下的鲁棒性。此外,APT15D100BHBG的封装设计具有较低的寄生电感,有助于减少电磁干扰(EMI)和电压尖峰问题。
  模块内部采用高纯度铜基板,提高了热传导效率,确保在高负载条件下仍能保持稳定的性能。该器件符合RoHS环保标准,适用于无铅生产工艺。

应用

APT15D100BHBG广泛应用于各种高功率电子系统,包括但不限于:工业电机驱动器、直流-直流转换器、不间断电源(UPS)、逆变器、电池管理系统(BMS)以及电动汽车充电模块。其优异的热管理和电气性能也使其成为太阳能逆变器和储能系统中的理想选择。此外,该模块还适用于需要高效能和高可靠性的军事和航空航天电子设备。

替代型号

APT15D100BNBG, APT15D100B2BG, APT15D100BHB, APT30D100BHBG

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APT15D100BHBG参数

  • 产品培训模块Diode Overview
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)2.3V @ 15A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电250µA @ 1000V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)15A
  • 电压 - (Vr)(最大)1000V(1kV)
  • 反向恢复时间(trr)260ns
  • 二极管类型标准
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型通孔,径向
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247 [B]
  • 包装管件
  • 其它名称APT15D100BHBGMIAPT15D100BHBGMI-ND