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APT14M100B 发布时间 时间:2025/12/24 17:50:10 查看 阅读:11

APT14M100B 是一款由 Microchip Technology 生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要用于高功率电子设备中。这款模块设计用于高效能的功率转换应用,如电机控制、工业自动化和电力系统。它具有高电流承载能力和优异的热性能,适用于要求苛刻的工业环境。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(Vce):100V
  最大集电极电流(Ic):14A
  工作温度范围:-40°C 至 150°C
  封装类型:双列直插式封装(DIP)
  安装类型:通孔安装
  功率耗散:150W

特性

APT14M100B 的主要特性包括其高电流能力和优异的热管理性能。该模块采用了先进的 IGBT 技术,提供了较低的导通压降和开关损耗,从而提高了系统的整体效率。此外,它具有良好的短路耐受能力,能够在极端条件下保持稳定运行。模块的封装设计使得安装简便,并且能够在较高的环境温度下可靠工作。此外,APT14M100B 还具有良好的抗湿性和机械稳定性,适用于各种严苛的工作环境。
  该模块的电气特性包括低导通压降、快速开关速度以及高短路电流耐受能力。这些特性使其非常适合用于需要高可靠性和高性能的应用中。此外,APT14M100B 的设计还考虑到了散热的需求,能够在高温环境下保持稳定的性能。

应用

APT14M100B 主要应用于需要高功率密度和可靠性的场合,如电机驱动器、工业电源、电焊机、UPS(不间断电源)系统以及电动车辆的充电系统等。它也常用于需要频繁开关操作的逆变器电路中,以提高系统的整体效率和可靠性。

替代型号

APT14M120B, APT14M80B

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APT14M100B参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列POWER MOS 8™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C900 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3965pF @ 25V
  • 功率 - 最大500W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247 [B]
  • 包装管件
  • 其它名称APT14M100BMPAPT14M100BMP-ND