型号：APT13005STF-G1
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：52 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：208 A
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：5.3 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：6.8 mΩ
　　阈值电压（Vth）典型值：2.2 V
　　输入电容（Ciss）@1MHz：2350 pF
　　输出电容（Coss）@1MHz：630 pF
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　栅极电荷（Qg）@10V：47 nC
　　反向恢复电荷（Qrr）：32 nC
　　工作结温范围（Tj）：-55 ~ +150 ℃
　　封装类型：Power SO-8 (TDFN-8L)
　　安装方式：表面贴装
　　符合RoHS：是
　　无卤素：是

APT13005STF-G1采用先进的TrenchFET技术，这种深沟槽结构设计显著降低了器件的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。其在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为5.3mΩ，在同类产品中处于领先水平，特别适合用于大电流、低电压输出的应用场合，如48V转12V的中间总线转换器或VRM模块。该技术还优化了载流子迁移路径，增强了电流密度，使得在有限的芯片面积上实现更高的电流承载能力成为可能。
　　该MOSFET具有出色的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg=47nC）和输出电容（Coss=630pF），这使其在高频开关应用中表现优异。低Qg意味着驱动电路所需的能量更少，可以降低驱动IC的负担并减少动态损耗；而低Coss则有助于减小关断过程中的能量损耗，进一步提高转换效率。此外，其反向恢复时间（trr=28ns）和反向恢复电荷（Qrr=32nC）均控制在较低水平，表明其体二极管具有较快的响应速度，这对于防止桥臂直通、减少电磁干扰（EMI）至关重要，尤其在同步整流拓扑中优势明显。
　　在热管理方面，APT13005STF-G1采用Power SO-8封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内部地层或散热层，有效降低热阻，提升长期运行的可靠性。该封装还具备良好的机械稳定性和焊接可靠性，适用于回流焊工艺。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，能够在恶劣的环境温度条件下稳定工作，适用于工业级和部分汽车级应用场景。
　　安全性与可靠性方面，APT13005STF-G1集成了多项保护机制。其栅源电压额定值为±20V，具备一定的过压耐受能力，配合外部栅极电阻可有效抑制电压尖峰。同时，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和功率循环测试，确保在长时间运行中保持稳定的电气性能。

APT13005STF-G1主要应用于需要高效、高功率密度的电源管理系统中。它常用于同步整流型DC-DC变换器，特别是在多相降压转换器（Multiphase Buck Converter）中作为下管（Low-side MOSFET）使用，因其低RDS(on)和快速开关特性，能够显著提升转换效率并减少发热。在服务器和高端计算平台的电压调节模块（VRM）中，该器件可支持处理器核心供电，满足瞬态响应快、输出电流大的需求。
　　在通信电源系统中，APT13005STF-G1可用于隔离式电源的副边同步整流电路，替代传统的肖特基二极管，从而降低导通压降，提高整体电源效率。在48V轻混电动车或电信电源系统中，该器件也可用于双向DC-DC转换器的主开关元件，实现能量的高效双向流动。
　　此外，该MOSFET适用于电机驱动电路中的H桥结构，作为低端或高端开关使用，提供快速响应和低功耗控制。在电池管理系统（BMS）、LED驱动电源、便携式电子设备的负载开关等应用中，APT13005STF-G1也能发挥其高效率、小体积的优势。由于其封装小巧且支持自动化贴片，因此非常适合高密度PCB布局的设计要求。

[
　　 "AOZ13005SJ",
　　 "APM13005SP",
　　 "SiSS130DN",
　　 "FDMS7680S",
　　 "IRLHS6242"
　　]