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APT13005SI-G1 发布时间 时间:2025/12/26 11:23:20 查看 阅读:9

APT13005SI-G1是一款由Microchip Technology公司生产的高性能、低功耗的8位微控制器(MCU),属于其PIC18系列的一部分。该器件基于PIC18F核心架构,采用先进的CMOS工艺制造,具备出色的抗干扰能力和稳定性,适用于多种工业控制、消费电子和汽车电子应用。APT13005SI-G1集成了丰富的外设资源,包括多个定时器、串行通信接口(如USART、I2C、SPI)、模拟-数字转换器(ADC)以及增强型PWM模块,能够满足复杂嵌入式系统的设计需求。该芯片支持宽电压工作范围,通常在2.0V至5.5V之间稳定运行,适合电池供电或对电源管理要求较高的应用场景。此外,它还具备内部振荡器选项,可减少外部元件数量,降低整体系统成本。通过灵活的时钟配置,用户可以在性能与功耗之间进行优化选择,实现高效能运作。该器件采用小型化封装(如SOIC、TSSOP等),便于在空间受限的应用中布局布线。Microchip为其提供了完整的开发支持,包括MPLAB? X集成开发环境、MPLAB? XC8编译器以及各类评估板和编程工具,极大地方便了工程师进行快速原型开发与调试。

参数

核心架构:PIC18F
  位数:8位
  工作电压:2.0V ~ 5.5V
  最大工作频率:48 MHz
  Flash程序存储器:32 KB
  RAM容量:2 KB
  EEPROM容量:1 KB
  GPIO引脚数:28
  ADC通道数:13
  ADC分辨率:10位
  定时器数量:5个(包括Timer0/1/2/3/4)
  捕获/比较/PWM模块:CCP2
  通信接口:USART x1, I2C x1, SPI x1
  看门狗定时器:支持
  低功耗模式:支持休眠(Sleep)模式
  封装类型:SOIC-28, TSSOP-28
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

APT13005SI-G1具备强大的外设集成能力,内置多达13通道的10位模数转换器(ADC),可用于采集多路模拟信号,广泛应用于传感器数据采集系统中。其高精度ADC具有可编程采样率和自动扫描功能,能够在无需CPU干预的情况下连续监测多个输入通道,显著提升系统响应速度并降低处理器负载。此外,该芯片配备了两个增强型捕捉/比较/PWM(ECCP)模块,支持多种波形生成模式,包括单输出、全桥和半桥驱动,适用于电机控制、LED调光和电源管理等领域。
  在通信方面,APT13005SI-G1集成了标准串行接口,包括通用同步/异步收发器(USART)、Inter-Integrated Circuit(I2C)和串行外设接口(SPI),支持与其他微控制器、传感器或显示模块进行高速可靠的数据交换。其中,USART支持RS-232、LIN总线等协议,便于构建分布式控制系统;I2C接口可用于连接EEPROM、实时时钟(RTC)等外围器件;SPI则适用于高速短距离通信场景。
  该器件还具备优异的低功耗特性,在休眠模式下电流消耗可低至几微安级别,非常适合电池供电设备如无线传感节点、便携式医疗仪器等应用。同时,内置的可编程欠压复位(BOR)和上电延时电路(PWRT)确保系统在电压波动时仍能安全启动和运行。此外,芯片支持在线串行编程(ICSP?)和实时在线调试(ICD),极大提升了开发效率与故障排查能力。

应用

APT13005SI-G1广泛应用于中小型嵌入式控制系统中,尤其适合需要较高集成度与稳定性的工业自动化设备,例如PLC模块、远程IO终端、智能传感器节点等。在消费类电子产品中,它可用于家用电器控制面板、温控器、电子锁、小功率电机驱动器等产品,凭借其丰富的I/O资源和PWM功能,能够轻松实现按键扫描、LCD驱动及风扇调速等功能。
  在汽车电子领域,该芯片可用于车身控制模块(BCM)、车窗升降控制、灯光管理单元等非安全关键系统,得益于其-40°C至+85°C的工作温度范围和良好的电磁兼容性(EMC)表现,能在严苛环境下稳定运行。此外,由于其支持多种通信协议,也可作为网关控制器用于简单的车载网络数据转发任务。
  在医疗健康设备中,APT13005SI-G1可用于血糖仪、体温计、便携式监护仪等低功耗便携设备,利用其低电压操作能力和精确ADC实现长时间待机与精准测量。教育与DIY开发领域也常将其用于教学实验板和创客项目,配合MPLAB生态系统提供友好的学习平台。

替代型号

PIC18F26K22,PIC18F25K22,PIC18F24K22

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APT13005SI-G1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3.2 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)450 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)1V @ 750mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)-
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)8 @ 2A,5V
  • 功率 - 最大值25 W
  • 频率 - 跃迁4MHz
  • 工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商器件封装TO-251