APT12045L2VFRG是一款由Microsemi(现为Microchip子公司)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块,广泛应用于工业和电力电子系统中。该模块设计用于高功率、高效率的开关应用,具备低导通压降和优异的短路耐受能力。其采用先进的沟槽栅技术和场截止(Field Stop)技术,以提高性能并降低开关损耗。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
最大集电极电流(IC):45A
封装形式:模块封装(Module)
短路耐受能力:5μs @ 125°C
最大工作温度:150°C
封装类型:绝缘型(Insulated)
安装方式:底座安装(Baseplate Mount)
栅极驱动电压:±15V
最大栅极-发射极电压(VGE):±20V
导通压降(VCE_sat):约2.1V @ IC=45A, TJ=25°C
APT12045L2VFRG具有多项先进的技术特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其采用的沟槽栅技术和场截止结构显著降低了导通压降和开关损耗,从而提高整体系统效率。其次,该模块具备出色的短路耐受能力,可在高电流条件下稳定运行,保障系统的可靠性。
此外,APT12045L2VFRG模块的封装设计采用了绝缘底板,提供了良好的电气隔离和散热性能,适用于需要高绝缘等级的工业设备。该模块还具备良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定运行。
模块内部集成了快速恢复二极管(FRD),与IGBT芯片协同工作,优化了反向恢复特性,减少了开关损耗,并提升了系统响应速度。这种集成设计简化了外部电路的布局,提高了系统的整体紧凑性和可靠性。
APT12045L2VFRG常用于中高功率的电力电子设备中,如交流电机驱动器(变频器)、伺服驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、焊接设备、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。其高可靠性和优异的性能使其成为工业自动化和能源转换系统中的理想选择。
APT12045L2VFRG的替代型号包括英飞凌(Infineon)的FF45R12RT4_B118、安森美半导体(onsemi)的NGTB45N120FL2WG、STMicroelectronics的STGYA45V120L和富士电机(Fuji Electric)的2MBI45D-120-50。