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APT10050LVRG 发布时间 时间:2025/7/25 11:18:50 查看 阅读:7

APT10050LVRG是一款由Microsemi(现为Microchip子公司)推出的高效能、低电压、双极性晶体管(BJT)阵列器件。该器件主要用于需要高可靠性与高稳定性的电源管理、功率开关和放大器应用中。APT10050LVRG采用先进的制造工艺,确保了器件在各种工作条件下的稳定性和耐用性。其主要特点是具有高电流承载能力、低饱和压降和良好的热稳定性。

参数

类型:双极性晶体管阵列
  晶体管数量:2个
  晶体管类型:NPN和PNP
  最大集电极电流:500mA
  最大集电极-发射极电压:100V
  最大功耗:300mW
  封装类型:SOT-223
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

APT10050LVRG是一款高性能双极性晶体管阵列,包含一个NPN和一个PNP晶体管。这种配置使得该器件可以在需要互补操作的应用中提供高效的解决方案。例如,在音频放大器或H桥电机驱动电路中,APT10050LVRG能够提供平衡的性能和稳定性。
  该器件的最大集电极电流为500mA,能够支持较高的负载需求。同时,其最大集电极-发射极电压为100V,适用于中高电压应用。APT10050LVRG的低饱和压降特性使其在导通状态下能够减少功耗,提高整体效率。此外,该器件的封装类型为SOT-223,具有良好的散热性能,能够在较高的工作温度下保持稳定。
  APT10050LVRG的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于工业级和汽车级应用。其高可靠性和热稳定性使得该器件能够在严苛的环境中正常工作。Microsemi的先进制造工艺确保了APT10050LVRG在各种工作条件下的稳定性和耐用性。

应用

APT10050LVRG广泛应用于电源管理、功率开关和放大器电路中。例如,在音频放大器设计中,APT10050LVRG可以用于构建推挽式输出级,提供高保真的音频信号放大。在H桥电机驱动电路中,该器件的互补配置能够实现电机的双向控制。此外,APT10050LVRG还可以用于电源转换器和稳压器电路,提供高效的功率开关功能。由于其高可靠性和热稳定性,APT10050LVRG也适用于工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中的关键电路。

替代型号

建议替代型号:MMBTA06-7-F(NPN/PNP晶体管阵列)、MJD112(NPN/PNP晶体管阵列)

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APT10050LVRG参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列POWER MOS V®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C500 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs500nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7900pF @ 25V
  • 功率 - 最大520W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264 [L]
  • 包装管件