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APT10050B2VRG 发布时间 时间:2025/12/26 20:41:22 查看 阅读:17

APT10050B2VRG是一款由Microchip Technology生产的高性能、低功耗的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)驱动器,专为高效率电源转换和电机控制应用设计。该器件集成了多项保护功能,包括欠压锁定(UVLO)、过流保护(DESAT检测)以及有源米勒钳位,确保在恶劣工作环境下仍能安全可靠地运行。APT10050B2VRG采用先进的高压电平移位技术,支持单电源供电,并具备高达±10A的峰值输出电流能力,适用于驱动高功率IGBT模块或MOSFET。其紧凑的封装形式和优化的引脚布局有助于减少寄生电感,提升系统EMI性能。此外,该芯片工作温度范围宽,符合工业级标准,适合在各种严苛环境中长期稳定运行。

参数

型号:APT10050B2VRG
  制造商:Microchip Technology
  器件类型:IGBT驱动器
  通道类型:高边/低边(半桥)
  输出峰值电流:10A(源电流),-10A(灌电流)
  供电电压范围:15V 至 30V(VDD)
  输入逻辑电平兼容:TTL/CMOS
  传播延迟时间:典型值80ns
  上升时间:典型值40ns
  下降时间:典型值30ns
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOIC-16N(带裸焊盘)
  隔离电压:>5000 VRMS(通过认证)
  集成保护功能:欠压锁定(UVLO)、DESAT过流检测、有源米勒钳位、故障反馈输出

特性

APT10050B2VRG具备优异的动态响应能力和高噪声 immunity,得益于其内置的高共模瞬态抗扰度(CMTI)设计,可达到超过100kV/μs的抗干扰水平,有效防止因快速电压变化引起的误触发问题。该驱动器采用电平移位技术实现高边驱动,无需外部自举电路即可完成高边浮动电源的构建,简化了系统设计并提高了可靠性。其集成的DESAT检测功能可通过外部Sense IGBT或RC网络监测IGBT的饱和状态,在发生短路或过载时迅速关断输出并锁存故障信号,保障功率器件不被损坏。
  有源米勒钳位机制能够在IGBT关断期间主动将栅极拉低至地电平,抑制由于米勒电容耦合导致的虚假导通现象,尤其在高频开关和高dv/dt环境下表现突出。此外,APT10050B2VRG提供独立的开通与关断输出引脚(GO 和 KO),允许用户分别调节外部门极电阻,从而精确控制开关速度与EMI特性。故障状态通过专用FAULT引脚输出,支持自动复位或外部控制器干预处理。
  该芯片还具备低静态功耗特性,在待机模式下电流消耗极小,有利于提高整体系统能效。所有内部功能模块均经过严格测试和老化筛选,保证在全温度范围内的一致性和稳定性。其SOIC-16封装符合RoHS环保标准,并支持表面贴装工艺,便于自动化生产组装。整体设计面向高可靠性工业应用,如变频器、伺服驱动、UPS电源及新能源发电逆变系统等场景。

应用

APT10050B2VRG广泛应用于需要高效、高可靠性的功率驱动场合。典型应用包括工业电机驱动中的三相逆变桥电路,用于控制交流感应电机或永磁同步电机的转速与扭矩;在不间断电源(UPS)系统中,作为DC-AC逆变级的核心驱动元件,确保电力切换过程中的连续性与稳定性;在太阳能光伏逆变器中,用于驱动H桥或三电平拓扑结构中的IGBT模块,实现直流到交流的能量转换。
  此外,该器件也适用于感应加热设备、焊接电源、电动汽车车载充电机(OBC)以及储能系统的双向DC-AC变换器等高功率密度设计。由于其支持高工作频率和快速响应能力,特别适合用于需要软开关或谐振拓扑的先进电源架构。在轨道交通、智能电网和工业自动化领域,APT10050B2VRG凭借其强健的保护机制和环境适应性,成为高端功率系统的首选驱动方案之一。

替代型号

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APT10050B2VRG参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列POWER MOS V®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C500 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs500nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7900pF @ 25V
  • 功率 - 最大520W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3 变式
  • 供应商设备封装T-MAX? [B2]
  • 包装管件