时间：2025/8/4 18:53:14
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APT1004R2BN-BUTT是一款由Advanced Power Technology（简称APT）制造的功率晶体管，具体属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这款MOSFET设计用于高功率应用，能够处理较高的电流和电压需求，广泛应用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：100A
最大漏极-源极电压：40V
最大栅极-源极电压：±20V
导通电阻：0.025Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+175°C
APT1004R2BN-BUTT具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体效率。
其高电流处理能力使其适用于高功率应用场景，如电机驱动和电源转换器。
该MOSFET采用了先进的制造工艺，确保在高温环境下依然保持稳定性能。
此外，APT1004R2BN-BUTT的封装设计优化了散热性能，从而减少了额外散热器的需求，降低了系统设计的复杂性。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适合在苛刻的工作条件下使用。
APT1004R2BN-BUTT常用于各种高功率电子设备中，如DC-DC转换器、电源管理系统、电机控制器和工业自动化设备。
由于其卓越的电气性能和可靠性，该MOSFET也适用于汽车电子系统，例如电动车辆的电池管理系统和启动系统。
此外，它还可以用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和储能系统等领域。
IRF1404、Si4410BDY、IPB100N04S4-03
