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APS00B 发布时间 时间:2025/8/17 11:25:14 查看 阅读:8

APS00B是一款由Advanced Power Technology生产的功率MOSFET器件,专为高效能电源管理应用而设计。这款MOSFET采用了先进的硅工艺技术,具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性。它广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及其他需要高效功率开关的场合。APS00B的封装形式为TO-220,这种封装方式提供了良好的散热性能,同时也方便在各种电路板上安装和使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):110A(在25°C)
  功耗(Pd):200W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  导通电阻(Rds(on)):2.9mΩ(最大值)
  封装类型:TO-220
  安装方式:通孔安装

特性

APS00B具备极低的导通电阻,这使得其在高电流应用中能够显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用了先进的硅芯片技术,确保了其在高频率开关操作下的稳定性和可靠性。此外,APS00B的TO-220封装设计提供了良好的散热性能,使其能够在较高的环境温度下正常工作,延长了器件的使用寿命。
  在电气特性方面,APS00B具有较高的栅极阈值电压(Vgs(th)),通常在2V至4V之间,这使得其在驱动电路设计上更加灵活,并且能够有效避免因噪声或误触发而导致的非预期导通。同时,该器件的漏极电流在25°C时可达到110A,支持高功率密度的设计需求。
  APS00B还具备良好的短路耐受能力,能够在极端条件下提供一定程度的保护作用,防止因瞬时过载而导致的器件损坏。这对于电源系统、电机驱动器以及其他需要高可靠性的应用场合尤为重要。此外,该MOSFET具有较低的输入电容(Ciss)和输出电容(Coss),这有助于减少开关过程中的能量损耗,提高整体系统的响应速度和效率。

应用

APS00B主要用于高功率密度和高效率要求的电源管理应用中,包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器以及负载开关等。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于需要频繁开关操作的场合,例如在电动工具、电动车辆、工业自动化设备以及电信电源系统中。此外,由于其良好的热稳定性和可靠性,APS00B也可用于一些对安全性和稳定性要求较高的应用场景,如医疗设备电源和服务器电源系统等。

替代型号

IRF1405, STP110NF30, FDP047N30

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APS00B参数

  • 标准包装1,000
  • 类别传感器,转换器
  • 家庭磁性 - 位置,近程,速度(模块)
  • 系列*
  • 其它名称480-4488480-4488-2480-4488-NDAPS00B-ND