时间：2025/7/30 20:45:22
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APM9966KC是一种高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Advanced Power Technology制造。该器件设计用于高频率开关应用，适用于电源管理和功率转换系统。APM9966KC采用了先进的沟槽式技术，提供低导通电阻和高开关速度，使其在高效率电源转换器中表现出色。该MOSFET通常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：12A
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻（Rds(on)）：最大32mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷（Qg）：19nC
输入电容（Ciss）：800pF
封装形式：TO-252（DPAK）
APM9966KC具有多项优良特性，确保其在高性能电源应用中的可靠性与效率。首先，该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高能效。其次，其高开关速度使得在高频操作中保持较低的开关损耗，从而提高整体系统效率。
此外，APM9966KC的热阻较低，有助于在高电流条件下有效散热，提升器件的热稳定性。该MOSFET的栅极氧化层设计具有高击穿电压能力，提供更强的抗静电能力和稳定性，减少因电压尖峰导致的故障风险。
封装方面，TO-252（DPAK）封装提供了良好的热管理和机械稳定性，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和高效的PCB布局。APM9966KC的工作温度范围宽广，能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
APM9966KC广泛应用于多种电源管理系统和功率转换设备中。其主要应用包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池充电器和电源管理模块。由于其高效率和快速开关特性，该MOSFET特别适合用于便携式电子产品、服务器电源、电信设备和汽车电子系统中的功率管理部分。
Si9966BDY, IRF7413, FDS6680, AON6260
