APM9966KC是一种高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Advanced Power Technology制造。该器件设计用于高频率开关应用,适用于电源管理和功率转换系统。APM9966KC采用了先进的沟槽式技术,提供低导通电阻和高开关速度,使其在高效率电源转换器中表现出色。该MOSFET通常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等应用。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):20V
连续漏极电流(Id):12A
功耗(Pd):2.5W
工作温度范围:-55°C至150°C
导通电阻(Rds(on)):最大32mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):19nC
输入电容(Ciss):800pF
封装形式:TO-252(DPAK)
APM9966KC具有多项优良特性,确保其在高性能电源应用中的可靠性与效率。首先,该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗,提高能效。其次,其高开关速度使得在高频操作中保持较低的开关损耗,从而提高整体系统效率。
此外,APM9966KC的热阻较低,有助于在高电流条件下有效散热,提升器件的热稳定性。该MOSFET的栅极氧化层设计具有高击穿电压能力,提供更强的抗静电能力和稳定性,减少因电压尖峰导致的故障风险。
封装方面,TO-252(DPAK)封装提供了良好的热管理和机械稳定性,适合表面贴装工艺,便于自动化生产和高效的PCB布局。APM9966KC的工作温度范围宽广,能够在极端环境条件下稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。
APM9966KC广泛应用于多种电源管理系统和功率转换设备中。其主要应用包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池充电器和电源管理模块。由于其高效率和快速开关特性,该MOSFET特别适合用于便携式电子产品、服务器电源、电信设备和汽车电子系统中的功率管理部分。
Si9966BDY, IRF7413, FDS6680, AON6260