APM9966COC-TUL 是一款由 Advanced Power Technology(简称 APT)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高功率和高效率的电源管理系统中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具备低导通电阻、高开关速度和高耐压能力。APM9966COC-TUL 通常采用TO-252(DPAK)封装,适用于各种DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id)@25°C:60A
导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on)):2.4mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散(Pd):100W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
APM9966COC-TUL 的核心特性在于其出色的导通性能和开关效率。该器件的低导通电阻(Rds(on))在1.8mΩ左右(Vgs=10V),使得在高电流条件下仍然能够保持较低的导通损耗,从而提升整体系统的能效。此外,APM9966COC-TUL 具备较高的电流承受能力,额定漏极电流为60A,适用于高功率密度设计。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽泛,支持4.5V至10V的驱动电压,适用于多种栅极驱动器电路设计。
在热管理方面,APM9966COC-TUL 采用高热导率封装材料,提升了器件的散热能力,确保在高负载条件下仍能稳定运行。该器件的封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装工艺(SMT),广泛应用于自动化生产线。此外,其工作温度范围从-55°C到150°C,适用于各种工业和汽车电子应用环境。
APM9966COC-TUL 还具备良好的短路耐受能力和较高的可靠性。其结构设计优化了电流分布,减少了热点效应,提高了器件的长期稳定性。该MOSFET的栅极氧化层经过强化处理,能够承受较高的电压冲击,适用于需要频繁开关操作的高动态负载场景。
APM9966COC-TUL 主要应用于高功率密度电源管理系统,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统(BMS)。由于其高电流能力和低导通电阻,特别适用于高效能电源转换设备,如服务器电源、通信设备电源、工业自动化设备及电动汽车充电模块。此外,APM9966COC-TUL 也广泛用于各类功率开关电路中,作为主开关或同步整流元件,提高系统整体效率。
在电动汽车领域,该器件可用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器以及电池管理系统中的高边或低边开关。在工业自动化系统中,APM9966COC-TUL 可用于电机驱动器和电源模块,提供快速响应和高效率的功率控制。同时,由于其优异的热管理性能,该MOSFET也适用于紧凑型电源设计,如笔记本电脑电源适配器、LED照明驱动器等应用场合。
SiS6966CNC-T1-GE3, FDP6966BL, IRF6766PBF, APM9966COC-TU