类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）@25°C：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.4mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

APM9966COC-TUL 的核心特性在于其出色的导通性能和开关效率。该器件的低导通电阻（Rds(on)）在1.8mΩ左右（Vgs=10V），使得在高电流条件下仍然能够保持较低的导通损耗，从而提升整体系统的能效。此外，APM9966COC-TUL 具备较高的电流承受能力，额定漏极电流为60A，适用于高功率密度设计。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽泛，支持4.5V至10V的驱动电压，适用于多种栅极驱动器电路设计。
　　在热管理方面，APM9966COC-TUL 采用高热导率封装材料，提升了器件的散热能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。该器件的封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装工艺（SMT），广泛应用于自动化生产线。此外，其工作温度范围从-55°C到150°C，适用于各种工业和汽车电子应用环境。
　　APM9966COC-TUL 还具备良好的短路耐受能力和较高的可靠性。其结构设计优化了电流分布，减少了热点效应，提高了器件的长期稳定性。该MOSFET的栅极氧化层经过强化处理，能够承受较高的电压冲击，适用于需要频繁开关操作的高动态负载场景。

APM9966COC-TUL 主要应用于高功率密度电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适用于高效能电源转换设备，如服务器电源、通信设备电源、工业自动化设备及电动汽车充电模块。此外，APM9966COC-TUL 也广泛用于各类功率开关电路中，作为主开关或同步整流元件，提高系统整体效率。
　　在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及电池管理系统中的高边或低边开关。在工业自动化系统中，APM9966COC-TUL 可用于电机驱动器和电源模块，提供快速响应和高效率的功率控制。同时，由于其优异的热管理性能，该MOSFET也适用于紧凑型电源设计，如笔记本电脑电源适配器、LED照明驱动器等应用场合。

SiS6966CNC-T1-GE3, FDP6966BL, IRF6766PBF, APM9966COC-TU