时间：2025/7/23 20:17:26
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APM9904KC-TR 是一款由 Advanced Power Technology（简称 APT）生产的高性能 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率转换和开关应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能。APM9904KC-TR 通常采用 TO-252（DPAK）封装，适合于表面贴装技术（SMT）应用，是电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：4A
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值）
最大功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
APM9904KC-TR 具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）为 35mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。这种低 Rds(on) 特性在高电流应用中尤为重要，有助于减少发热并提高可靠性。
该 MOSFET 支持高达 4A 的连续漏极电流和 30V 的漏极-源极电压，适用于多种中等功率应用。±20V 的栅极-源极电压范围提供了更高的设计灵活性，并增强了器件在高噪声环境下的稳定性。
采用 TO-252（DPAK）封装，APM9904KC-TR 具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术，简化了 PCB 布局并提高了生产效率。此外，其热阻（RθJA）较低，有助于在高功率密度设计中有效管理热量。
该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。其开关损耗较低，有助于进一步提高系统的能效并减少外围元件的尺寸。此外，APM9904KC-TR 具备较高的雪崩能量承受能力，确保了在突发电压尖峰情况下的稳定运行。
APM9904KC-TR 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备。在电源管理方面，该器件用于高效能的电压调节器和功率因数校正电路，帮助提高整体能效并减少发热。
在 DC-DC 转换器中，APM9904KC-TR 的低导通电阻和快速开关特性使其成为同步整流和高频开关的理想选择，能够有效减小电源模块的尺寸并提高转换效率。
作为负载开关，该 MOSFET 可用于控制高电流负载的接通和断开，例如 LED 照明、风扇控制和继电器替代应用。其高电流能力和快速响应特性确保了稳定可靠的开关操作。
在电池管理系统中，APM9904KC-TR 可用于电池充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行并延长其使用寿命。此外，在工业自动化和控制系统中，该器件常用于电机驱动和电源分配模块，提供高效能和高可靠性的解决方案。
Si4460BDY, IRF7413PBF, FDS6680, AON6262
